5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 10 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.125 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | BIP General Purpose Small Signal |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UNR9119G | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO |
|
| UNR9119J | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon PNP epitaxial planar type |
|
| UNR9119J(UN9119J) | ETC |
获取价格 |
複合デバイス － 抵抗内蔵型トランジスタ |
|
| UNR9119J|UN9119J | ETC |
获取价格 |
Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
|
| UNR911AG | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO |
|
| UNR911AJ | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon PNP epitaxial planar type |
|
| UNR911AJ0L | PANASONIC |
获取价格 |
TRANS PNP 50V 100MA W/RES SSMINI |
|
| UNR911BJ | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon PNP epitaxial planar type |
|
| UNR911CJ | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon PNP epitaxial planar type |
|
| UNR911D | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
