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UNR911DJ(UN911DJ)

更新时间: 2024-09-15 23:39:35
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19页 590K
描述
複合デバイス - 抵抗内蔵型トランジスタ

UNR911DJ(UN911DJ) 数据手册

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抵抗内蔵トランジスタ  
UNR911xJシリーズ (UN911xJシリーズ)  
シリコンPNPエピタキシャルプレーナ形  
Unit : mm  
+0.05  
–0.03  
デジタル回路用  
1.60  
+0.03  
–0.01  
0.12  
1.00 0.05  
3
特ꢀ長  
機器の小形, 点数の減によりコストダウン可能  
SSミニ型パッケージのため, テーピング, マガジン包装によ  
1
2
る自動挿入が可能  
0.27 0.02  
(0.50)(0.50)  
品  
種別抵抗値  
形名表示記号 (R1)  
(R2)  
5˚  
UNR9110J (UN9110J) 6L  
UNR9111J (UN9111J) 6A  
UNR9112J (UN9112J) 6B  
UNR9113J (UN9113J) 6C  
UNR9114J (UN9114J) 6D  
UNR9115J (UN9115J) 6E  
UNR9116J (UN9116J) 6F  
UNR9117J (UN9117J) 6H  
UNR9118J (UN9118J) 6I  
UNR9119J (UN9119J) 6K  
47 kΩ  
10 kΩ  
22 kΩ  
47 kΩ  
10 kΩ  
10 kΩ  
4.7 kΩ  
22 kΩ  
0.51 kΩ  
1 kΩ  
10 kΩ  
22 kΩ  
47 kΩ  
47 kΩ  
5.1 kΩ  
10 kΩ  
100 kΩ  
47 kΩ  
10 kΩ  
22 kΩ  
10 kΩ  
10 kΩ  
4.7 kΩ  
47 kΩ  
47 kΩ  
47 kΩ  
2.2 kΩ  
1 : Base  
2 : Emitter  
3 : Collector  
EIAJ : SC-89  
SSMini3-F1 Package  
内部接続図  
UNR911AJ  
UNR911BJ  
UNR911CJ  
6X  
6Y  
6Z  
100 kΩ  
100 kΩ  
R1  
R2  
C
E
B
UNR911DJ (UN911DJ) 6M  
UNR911EJ (UN911EJ) 6N  
UNR911FJ (UN911FJ) 6O  
UNR911HJ (UN911HJ) 6P  
UNR911LJ (UN911LJ) 6Q  
47 kΩ  
47 kΩ  
4.7 kΩ  
2.2 kΩ  
4.7 kΩ  
2.2 kΩ  
4.7 kΩ  
22 kΩ  
2.2 kΩ  
UNR911MJ  
UNR911NJ  
EI  
EW  
UNR911TJ (UN911TJ) EY  
UNR911VJ FC  
絶対最大定格 Ta = 25°C  
項目  
記号  
定格  
単位  
V
コレクース間電圧(E 開放時) VCBO  
コレクミッタ間電圧(B開放時) VCEO  
50  
50  
V
コレクタ電流  
全許容損失  
IC  
100  
125  
mA  
mW  
PT  
合温度  
Tj  
125  
°C  
保存温度  
Tstg  
55 ∼ +125  
°C  
) 形名の( ), 従来品  
番です  
発行年月 : 20041月  
SJH00038BJD  
1

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