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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> UNR5154
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UNR5154

更新时间： 2024-09-14 21:55:23
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 87K
描述
Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits

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UNR5154 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-70包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.84Is Samacsys：N
其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 4.7最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：80JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e6湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.15 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：80 MHz
Base Number Matches：1

UNR5154 数据手册

 浏览型号UNR5154的Datasheet PDF文件第2页浏览型号UNR5154的Datasheet PDF文件第3页 
Transistors with built-in Resistor  
UNR5154 (UN5154)  
Silicon PNP epitaxial planar type  
Unit: mm  
+0.10  
–0.05  
+0.1  
–0.0  
0.15  
0.3  
For digital circuits  
3
■ Features  
• High forward current transfer ratio hFE  
• Costs can be reduced through downsizing of the equipment and  
reduction of the number of parts  
1
2
(0.65) (0.65)  
• S-Mini type package, allowing automatic insertion through tape  
packing and magazine packing  
1.3 0.1  
2.0 0.2  
10˚  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
1: Base  
2: Emitter  
3: Collector  
Parameter  
Symbol  
Rating  
−30  
Unit  
V
Collector-base voltage (Emitter open) VCBO  
Collector-emitter voltage (Base open) VCEO  
EIAJ: SC-70  
SMini3-G1 Package  
−30  
V
Collector current  
IC  
PT  
−100  
mA  
mW  
°C  
Marking Symbol: EV  
Internal Connection  
150  
Total power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
Tstg  
−55 to +150  
°C  
R1 (10 kΩ)  
B
C
E
R2  
(47 kΩ)  
■ Electrical Characteristics Ta = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
ICBO  
ICEO  
IEBO  
hFE  
Conditions  
Min  
−30  
−30  
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Collector-emitter cutoff current (Base open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
Collector-emitter saturation voltage  
Output voltage high-level  
IC = −10 µA, IE = 0  
IC = −2 mA, IB = 0  
V
VCB = −30 V, IE = 0  
− 0.1  
− 0.5  
− 0.1  
µA  
VCE = −30 V, IB = 0  
VEB = −3 V, IC = 0  
mA  
VCE = −10 V, IC = −5 mA  
IC = −50 mA, IB = − 0.33 mA  
80  
VCE(sat)  
VOH  
VOL  
− 0.5  
−1.2  
V
VCC  
VCC  
=
=
−
−
5 V, VB  
5 V, VB  
=
=
−
−
0.5 V, RL = 1 k  
2.5 V, RL = 1 k  
Ω
−
4.9  
V
Output voltage low-level  
Ω
−
0.2  
V
Transition frequency  
fT  
VCB = −10 V, IE = 1 mA, f = 200 MHz  
80  
10  
MHz  
kΩ  
Input resistance  
R1  
−
30%  
+30%  
Resistance ratio  
R1/R2  
0.213  
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.  
Publication date: December 2003  
SJH00023BED  
1
123

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