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UNR51A8G PDF预览

UNR51A8G

更新时间： 2024-09-15 19:52:27
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 505K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN

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UNR51A8G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.84其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
最大集电极电流 (IC)：0.08 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：20
JESD-30 代码：R-PDSO-F3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：80 MHz
Base Number Matches：1

UNR51A8G 数据手册

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This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
Transistors with built-in Resistor  
UNR51A8G  
Silicon PNP epitaxial planar type  
For digital circuits  
Features  
Package  
Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of  
the number of parts.  
ꢀCode  
SMini3-F2  
ꢀPin Name  
1: Base  
SMini type package allowing easy automatic insertion through tape packing  
2: mitter  
ctor  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
I
Ratin
–0  
Unit  
V
Marking Symbol: KS  
ꢀInternal Connection  
V
mA  
mW  
°C  
R1 (0.51 kΩ)  
Total power dissipation  
PT  
150  
C
E
B
Junction temperature  
Tj  
150  
R2  
(5.1 kΩ)  
Storage temperature  
T
g  
–55 to +150  
°C  
Electrical Charristics Ta = 2°C±3°
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
-50  
-50  
Typ  
Max  
Unit  
V
Collecor-base voltagEmitteopen)  
Collector-emitte open)  
Collector-base cutofmitter open)  
Collector-emitter cutoff crent (Base open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
Collector-emitter saturation voltage  
Output voltage high-level  
VCBO IC = -10 mA, IE = 0  
VCEO IC = -2 mA, IB = 0  
V
ICBO  
ICEO  
IEBO  
hFE  
VCB = -50 V, IE = 0  
VCE = -50 V, IB = 0  
VEB = -6 V, IC = 0  
- 0.1  
- 0.5  
-2.0  
mA  
mA  
mA  
VCE = -10 V, IC = -5 mA  
20  
V
VCE(sat) IC = -10 mA, IB = - 0.3 mA  
- 0.25  
VOH  
VOL  
R1  
VCC = -5 V, VB = - 0.5 V, RL = 1 kW  
VCC = -5 V, VB = -2.5 V, RL = 1 kW  
V
-4.9  
Output voltage low-level  
V
- 0.2  
+30%  
0.12  
Input resistance  
0.51  
0.1  
80  
kW  
-30%  
Resistance ratio  
R1 / R2  
fT  
0.08  
Transition frequency  
VCB = -10 V, IE = 1 mA, f = 200 MHz  
MHz  
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
Publication date: August 2008  
SJH00270AED  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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