Datasheet > UNR2117(UN2117)

UNR2117(UN2117)

更新时间： 2024-10-13 23:39:27

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		/
页数	文件大小	规格书
17页	551K
描述
複合デバイス－抵抗内蔵型トランジスタ

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

UNR2117(UN2117) 数据手册

抵抗内蔵トランジスタ

UNR211xシリーズ (UN211xシリーズ)

シリコンPNPエピタキシャルプレーナ形

Unit : mm

+0.10

0.40

–0.05

+0.10

デジタル回路用

0.16

–0.06

■ 特ꢀ長

• 機器の小形化, 部品点数の削減によりコストダウン可能

• ミニ型パッケージのため、テーピング、マガジン包装による

自動挿入が可能

(0.95) (0.95)

1.9 ^0.1

2.90^+0.20

■ 品

種別抵抗値

–0.05

形名表示記号 (R₁)

(R₂)

10˚

• UNR2110 (UN2110)

• UNR2111 (UN2111)

• UNR2112 (UN2112)

• UNR2113 (UN2113)

• UNR2114 (UN2114)

• UNR2115 (UN2115)

• UNR2116 (UN2116)

• UNR2117 (UN2117)

• UNR2118 (UN2118)

• UNR2119 (UN2119)

• UNR211D (UN211D)

• UNR211E (UN211E)

• UNR211F (UN211F)

• UNR211H (UN211H)

• UNR211L (UN211L)

47 kΩ

10 kΩ

22 kΩ

47 kΩ

10 kΩ

4.7 kΩ

22 kΩ

0.51 kΩ

1 kΩ

47 kΩ

4.7 kΩ

2.2 kΩ

4.7 kΩ

2.2 kΩ

4.7 kΩ

22 kΩ

2.2 kΩ

4.7 kΩ



10 kΩ

22 kΩ

47 kΩ



1 : Base

2 : Emitter

3 : Collector

EIAJ : SC-59

Mini3-G1 Package



内部接続図

5.1 kΩ

10 kΩ

22 kΩ

10 kΩ

4.7 kΩ

47 kΩ

2.2 kΩ

22 kΩ

R₁

R₂

• UNR211M (UN211M) EI

• UNR211N (UN211N)

• UNR211T (UN211T)

• UNR211V (UN211V)

• UNR211Z (UN211Z)

■ 絶対最大定格 T_a= 25°C

項目

記号

定格

単位

コレクタ・ベース間電圧(E 開放時) V_CBO

コレクタ・エミッタ間電圧(B開放時) V_CEO

−50

コレクタ電流

全許容損失

I_C

−100

200

P_T

接

合温度

T_j

150

°C

保存温度

T_stg

−55 ∼ +150

°C

注) 形名の( )内は, 従来品

番です

発行年月 : 2003年12月

SJH00006BJD

12 3 4 5 6 7...17

中文翻译

下载PDF

与UNR2117(UN2117)相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UNR2117\|UN2117	ETC	获取价格	Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR2117Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-23
UNR2117R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-23
UNR2117S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-23
UNR2118	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type
UNR2118(UN2118)	ETC	获取价格	複合デバイス－抵抗内蔵型トランジスタ
UNR2118\|UN2118	ETC	获取价格	Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR2119	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type
UNR2119(UN2119)	ETC	获取价格	複合デバイス－抵抗内蔵型トランジスタ
UNR2119\|UN2119	ETC	获取价格	Composite Device - Transistors with built-in Resistor