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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SC-59 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.83 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 2.13 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e6 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | BIP General Purpose Small Signal |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Bismuth (Sn/Bi) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UNR211F(UN211F) | ETC |
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複合デバイス － 抵抗内蔵型トランジスタ |
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| UNR211F|UN211F | ETC |
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Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
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| UNR211FS | PANASONIC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINI3-G |
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| UNR211H | PANASONIC |
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Silicon PNP epitaxial planar type |
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| UNR211H(UN211H) | ETC |
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Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
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| UNR211H|UN211H | ETC |
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Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
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| UNR211HS | PANASONIC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINI3-G |
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| UNR211L | PANASONIC |
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Silicon PNP epitaxial planar type |
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| UNR211L(UN211L) | ETC |
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複合デバイス － 抵抗内蔵型トランジスタ |
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| UNR211L|UN211L | ETC |
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Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
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