UNR211N

更新时间： 2024-10-29 22:41:43

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松下 - PANASONIC		/
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17页	435K
描述
Silicon PNP epitaxial planar type

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UNR211N 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-59	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.82	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	80
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz	Base Number Matches：	1

UNR211N 数据手册

Transistors with built-in Resistor

UNR211x Series (UN211x Series)

Silicon PNP epitaxial planar type

Unit: mm

+0.10

–0.05

0.40

+0.10

For digital circuits

0.16

–0.06

■ Features

• Costs can be reduced through downsizing of the equipment and

reduction of the number of parts

• Mini type package allowing easy automatic insertion through tape

(0.95) (0.95)

packing and magazine packing

1.9 ^0.1

+0.20

2.90

–0.05

■ Resistance by Part Number

10˚

Marking Symbol (R₁)

(R₂)



• UNR2110 (UN2110)

• UNR2111 (UN2111)

• UNR2112 (UN2112)

• UNR2113 (UN2113)

• UNR2114 (UN2114)

• UNR2115 (UN2115)

• UNR2116 (UN2116)

• UNR2117 (UN2117)

• UNR2118 (UN2118)

• UNR2119 (UN2119)

• UNR211D (UN211D)

• UNR211E (UN211E)

• UNR211F (UN211F)

• UNR211H (UN211H)

• UNR211L (UN211L)

47 kΩ

10 kΩ

22 kΩ

47 kΩ

10 kΩ

4.7 kΩ

22 kΩ

0.51 kΩ

1 kΩ

47 kΩ

4.7 kΩ

2.2 kΩ

4.7 kΩ

2.2 kΩ

4.7 kΩ

22 kΩ

2.2 kΩ

4.7 kΩ

10 kΩ

22 kΩ

47 kΩ



1: Base

2: Emitter

3: Collector

EIAJ: SC-59

Mini3-G1 Package

Internal Connection



5.1 kΩ

10 kΩ

22 kΩ

10 kΩ

4.7 kΩ

47 kΩ

2.2 kΩ

22 kΩ

R₁

R₂

• UNR211M (UN211M) EI

• UNR211N (UN211N)

• UNR211T (UN211T)

• UNR211V (UN211V)

• UNR211Z (UN211Z)

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

−50

Collector current

I_C

P_T

−100

°C

200

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

T_stg

−55 to +150

°C

Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.

Publication date: December 2003

SJH00006CED

12 3 4 5 6 7...17

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UNR211N(UN211N)	ETC	获取价格	Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR211N\|UN211N	ETC	获取价格	Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR211NQ	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINI3-G
UNR211T	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type
UNR211T(UN211T)	ETC	获取价格	Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR211T\|UN211T	ETC	获取价格	Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR211TQ	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINI3-G
UNR211TS	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINI3-G
UNR211V	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type
UNR211V(UN211V)	ETC	获取价格	Composite Device - Transistors with built-in Resistor

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