UN221Z

更新时间： 2024-09-14 22:35:23

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
17页	433K
描述
Silicon NPN epitaxial planar transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

UN221Z 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-59	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.76	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	160	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

UN221Z 数据手册

Transistors with built-in Resistor

UNR221x Series (UN221x Series)

Silicon NPN epitaxial planar transistor

Unit: mm

+0.10

–0.05

0.40

+0.10

For digital circuits

0.16

–0.06

■ Features

• Costs can be reduced through downsizing of the equipment and

reduction of the number of parts.

• Mini type package allowing easy automatic insertion through tape

(0.95) (0.95)

packing and magazine packing

1.9 ^0.1

+0.20

2.90

–0.05

■ Resistance by Part Number

10˚

Marking Symbol (R₁)

(R₂)



• UNR2210 (UN2210)

• UNR2211 (UN2211)

• UNR2212 (UN2212)

• UNR2213 (UN2213)

• UNR2214 (UN2214)

• UNR2215 (UN2215)

• UNR2216 (UN2216)

• UNR2217 (UN2217)

• UNR2218 (UN2218)

• UNR2219 (UN2219)

• UNR221D (UN221D)

• UNR221E (UN221E)

• UNR221F (UN221F)

• UNR221K (UN221K)

• UNR221L (UN221L)

47 kΩ

10 kΩ

22 kΩ

47 kΩ

10 kΩ

4.7 kΩ

22 kΩ

0.51 kΩ

1 kΩ

47 kΩ

4.7 kΩ

10 kΩ

4.7 kΩ

2.2 kΩ

4.7 kΩ

22 kΩ

2.2 kΩ

4.7 kΩ

10 kΩ

22 kΩ

47 kΩ



1: Base

2: Emitter

3: Collector

EIAJ: SC-59

Mini3-G1 Package

Internal Connection



5.1 kΩ

10 kΩ

22 kΩ

10 kΩ

4.7 kΩ

47 kΩ

2.2 kΩ

22 kΩ

R₁

R₂

• UNR221M (UN221M) EL

• UNR221N (UN221N)

• UNR221T (UN221T)

• UNR221V (UN221V)

• UNR221Z (UN221Z)

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Collector current

I_C

P_T

100

°C

200

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

T_stg

−55 to +150

°C

Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.

Publication date: December 2003

SJH00010CED

12 3 4 5 6 7...17

中文翻译

下载PDF

与UN221Z相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UN221ZT	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
UN222	PANASONIC	获取价格	Transistor array to drive the small motor
UN2221	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planar type
UN2221TMG	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
UN2221TSK	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
UN2222	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planar type
UN2222TMG	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
UN2222TSK	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
UN2223	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planar type
UN2223TMG	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

与UN221Z相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

4
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

4
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

83
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

75

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

UN221Z

UN221Z 技术参数

UN221Z 数据手册

与UN221Z相关器件

与UN221Z相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

UN221Z

UN221Z 技术参数

UN221Z 数据手册

与UN221Z相关器件

与UN221Z相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？