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UMZ12N

更新时间: 2024-11-05 22:17:27
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罗姆 - ROHM 稳压二极管齐纳二极管测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 34K
描述
Zener diode

UMZ12N 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended零件包装代码:SC-70
包装说明:R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.4
其他特性:HIGH RELIABILITY配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:30 ΩJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e1湿度敏感等级:1
元件数量:2端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.2 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:12 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:YES技术:ZENER
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
最大电压容差:8.33%工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

UMZ12N 数据手册

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UMZ12N  
Diodes  
Zener diode  
UMZ12N  
zExternal dimensions (Units : mm)  
zApplications  
Constant voltage control  
Noise suppression on single line  
2.0±0.2  
0.9±0.1  
1.3±0.1  
0.65 0.65  
0.3  
0.6  
0.1Min.  
zFeatures  
6 V  
0
0.1  
1) Small surface mounting type. (UMD3)  
2) Multiple diodes with common anode configuration.  
3) High reliability.  
0.15±0.05  
0.3±0.1  
ROHM : UMD3  
EIAJ : SC - 70  
JEDEC : SOT - 323  
zConstruction  
Silicon epitaxial planar  
zCircuit  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
Total of 2 elements  
Symbol  
P
Limits  
200  
Unit  
mW  
˚C  
Tj  
150  
Tstg  
55 +150  
˚C  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Zener voltage  
Symbol  
Min.  
11.0  
Max.  
13.0  
0.10  
30  
Unit  
V
Conditions  
VZ  
I
Z
=5mA  
Reverse current  
I
R
µA  
V
R=9V  
Operating resistance  
Rising operating resistance  
Z
Z
I
I
Z=5mA  
Z
ZK  
80  
Z=0.5mA  

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