UFB120FA20P

更新时间： 2024-09-10 05:55:39

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威世 - VISHAY		整流二极管局域网超快软恢复二极管快速软恢复二极管
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Insulated Ultrafast Rectifier Module, 120 A

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UFB120FA20P 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	R-PUFM-X4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.56	Is Samacsys：	N
其他特性：	UL RECOGNIZED	应用：	ULTRA FAST SOFT RECOVERY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PUFM-X4	最大非重复峰值正向电流：	850 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	60 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大反向恢复时间：	0.028 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
Base Number Matches：	1

UFB120FA20P 数据手册

UFB120FA20P

Vishay High Power Products

Insulated Ultrafast

Rectifier Module, 120 A

FEATURES

• Two fully independent diodes

• Ceramic fully insulated package

(V_ISOL= 2500 V_AC

RoHS

)

COMPLIANT

• Ultrafast reverse recovery

• Ultrasoft reverse recovery current shape

• Low forward voltage

• Optimized for power conversion: welding and industrial

SMPS applications

• Industry standard outline

• Plug-in compatible with other SOT-227 packages

• Easy to assemble

• Direct mounting to heatsink

• UL E78996 approved

SOT-227

• Totally lead (Pb)-free

• Designed and qualified for industrial level

DESCRIPTION

The UFB120FA20P insulated modules integrate two state of

the art Vishay HPP ultrafast recovery rectifiers in the

compact, industry standard SOT-227 package. The planar

structure of the diodes, and the platinum doping life time

control, provide a ultrasoft recovery current shape, together

with the best overall performance, ruggedness and reliability

characteristics.

These devices are thus intended for high frequency

applications in which the switching energy is designed not to

be predominant portion of the total energy, such as in the

output rectification stage of welding machines, SMPS,

dc-to-dc converters. Their extremely optimized stored

charge and low recovery current reduce both over

dissipation in the switching elements (and snubbers) and

EMI/RFI.

PRODUCT SUMMARY

V_R

200 V

120 A

28 ns

I_F(AV)at T_C= 90 °C

t_rr

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

SYMBOL

V_R

TEST CONDITIONS

MAX.

200

UNITS

Cathode to anode voltage

Continuous forward current per diode

Single pulse forward current per diode

Maximum power dissipation per module

RMS isolation voltage

I_F

T_C= 90 °C

I_FSM

T_C= 25 °C

850

P_D

T_C= 90 °C

110

V_ISOL

T_J, T_Stg

Any terminal to case, t = 1 min

2500

- 55 to 150

Operating junction and storage temperatures

°C

Document Number: 94522

Revision: 07-May-08

For technical questions, contact: ind-modules@vishay.com

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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