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TSD2150ACYRM

更新时间： 2024-11-06 08:34:15

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TSC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	102K
描述
Low Vcesat NPN Transistor

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TSD2150ACYRM 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	ROHS COMPLIANT PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.8	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	150
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	90 MHz	Base Number Matches：	1

TSD2150ACYRM 数据手册

TSD2150A

Low Vcesat NPN Transistor

SOT-89

TO-92

Pin Definition:

1. Base

2. Collector

3. Emitter

Pin Definition: PRODUCT SUMMARY

1. Emitter

2. Collector

3. Base

BV_CBO

BV_CEO

I_C

80V

50V

V_CE(SAT)

0.5V @ I_C/ I_B= 2A / 200mA

Features

Ordering Information

●

Low V_CE(SAT)0.1 @ I_C/ I_B= 1A / 50mA (Typ.)

Complementary part with TSB1424A

Part No.

Package

Packing

1Kpcs / 7” Reel

1K / Bulk

●

TSD2150ACY RM

TSD2150ACT B0

TSD2150ACT A3

SOT-89

TO-92

Structure

2K / Ammo

●

Epitaxial Planar Type

NPN Silicon Transistor

●

Absolute Maximum Rating (Ta = 25^oC unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

V_CBO

V_CEO

V_EBO

Collector Current

I_C

Pulse

SOT-89

TO-92

6 (note1)

0.6

Collector Power Dissipation

P_D

0.75

Operating Junction Temperature

T_J

+150

^oC

Operating Junction and Storage Temperature Range

Note: 1. Single pulse, Pw=10ms, Duty≤50%

T_STG

- 55 to +150

2. When mounted on a 40 x 50 x 0.7mm ceramic board.

Electrical Specifications (Ta = 25^oC unless otherwise noted)

Parameter

Collector-Base Breakdown Voltage

Conditions

I_C= 50uA, I_E= 0

Symbol

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

Min

Typ

Max

Unit

Collector-Emitter Breakdown Voltage I_C= 1mA, I_B= 0

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cutoff Current

I_E= 50uA, I_C= 0

V_CB= 60V, I_E= 0

V_EB= 3V, I_C= 0

0.1

0.25

0.5

Emitter Cutoff Current

I_EBO

I_C/ I_B= 1A / 50mA

I_C/ I_B= 2A / 200mA

V_CE= 2V, I_C= 100mA

V_CE= 2V, I_C= 500mA

V_CE= 2V, I_C= 1A

V_CE=5V, I_E=0.1A,

f=100MHz

V_CE(SAT)

V_BE(SAT)

0.1

0.25

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

h_FE

180

200

150

DC Current Transfer Ratio

400

Transition Frequency

Output Capacitance

f_T

MHz

V_CB= 10V, f=1MHz

Cob

Note: Pulse test: pulse width ≤380uS, Duty cycle≤2%

1/5

Version: B11

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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TSD220	FENGJUI	获取价格	SMD POWER INDUCTOR-RoHS
TSD221	FENGJUI	获取价格	SMD POWER INDUCTOR-RoHS
TSD222	FENGJUI	获取价格	SMD POWER INDUCTOR-RoHS
TSD-226-J025B	RCD	获取价格	Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 25V, 5% +Tol, 5% -Tol, 22uF, Surface
TSD-226-J025TQ	RCD	获取价格	Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 25V, 5% +Tol, 5% -Tol, 22uF, Surface
TSD-226-J025TW	RCD	获取价格	Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 25V, 5% +Tol, 5% -Tol, 22uF, Surface
TSD22N80F	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 800V V(BR)DSS \| 22A I(D)
TSD22N80V	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 800V V(BR)DSS \| 22A I(D)
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