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TSD2444CXRF

更新时间： 2024-11-06 05:52:31
品牌 Logo 应用领域
TSC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 338K
描述
Low Vcesat NPN Transistor

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TSD2444CXRF 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.84
最大集电极电流 (IC)：0.8 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzBase Number Matches：1

TSD2444CXRF 数据手册

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TSD2444  
Low Vcesat NPN Transistor  
SOT-23  
Pin Definition:  
1. Base  
PRODUCT SUMMARY  
BVCBO  
BVCEO  
IC  
40V  
2. Emitter  
3. Collector  
25V  
800mA  
VCE(SAT)  
40mV @ IC / IB = 50 / 2.5mA  
Features  
Ordering Information  
●
Low VCE(SAT)  
Excellent DC Current Gain Characteristics  
Part No.  
Package  
SOT-23  
Packing  
●
TSD2444CX RF  
3Kpcs / 7” Reel  
Structure  
●
Epitaxial Planar Type  
Complementary to TSB1590CX  
●
Absolute Maximum Rating (Ta = 25oC unless otherwise noted)  
Parameter  
Collector-Base Voltage  
Symbol  
Limit  
40  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
25  
6
V
V
Collector Current  
800  
mA  
mW  
oC  
Total Power Dissipation  
Operating Junction Temperature  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Ptot  
225  
TJ  
+150  
- 55 to +150  
TSTG  
oC  
Electrical Specifications (Ta = 25oC unless otherwise noted)  
Parameter  
Conditions  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
Min  
Typ  
--  
Max  
--  
Unit  
Collector-Base Breakdown Voltage  
IC = 100uA, IE = 0  
40  
25  
6
V
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage IC = 2mA, IB = 0  
--  
--  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
IE = 100uA, IC = 0  
--  
--  
V
VCB = 30V, IE = 0  
--  
--  
0.5  
0.5  
0.06  
0.3  
0.6  
1.0  
560  
--  
uA  
uA  
V
Emitter Cutoff Current  
VEB = 6V, IC = 0  
IEBO  
--  
--  
IC = 50mA, IB = 2.5mA  
IC = 400mA, IB = 20mA  
IC = 800mA, IB = 80mA  
VCE = 1V, IC = 10mA  
VCE = 1V, IC = 100mA  
VCE = 1V, IC = 600mA  
VCE = 5V, IC=-100mA  
VCB = 10V, f=1MHz  
*VCE(SAT)  
*VCE(SAT)  
*VCE(SAT)  
VBE(ON)  
1
0.04  
0.15  
0.25  
--  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
2
3
--  
--  
Base-Emitter on Voltage  
DC Current Transfer Ratio  
--  
V
hFE  
hFE  
fT  
1
2
180  
40  
--  
--  
--  
Transition Frequency  
Output Capacitance  
150  
15  
--  
MHz  
pF  
Cob  
--  
--  
* Pulse Test: Pulse width ≤380us, Duty cycle ≤ 2%  
1/4  
Version: A08  
1234

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