Sample &
Buy
Support &
Community
Product
Folder
Tools &
Software
Technical
Documents
TPS54116-Q1
ZHCSFG9A –AUGUST 2016–REVISED AUGUST 2016
TPS54116-Q1 2.95V 至 6V 输入、4A 降压转换器和 1A 拉/灌电流 DDR 终
端稳压器
1 特性
TPS54116-Q1 降压稳压器通过集成 MOSFET 和减小
电感尺寸来最大限度减小解决方案尺寸,开关频率最高
达 2.5MHz。开关频率可设置在中波频段以上以满足噪
声敏感型 应用 的需求,而且能够与外部时钟同步。同
步整流使频率在整个输出负载范围内保持为固定值。效
率通过集成 25mΩ 低侧 MOSFET 和 33mΩ 高侧
MOSFET 得到了最大限度的提升。逐周期峰值电流限
制在过流状态下保护器件,并且可通过 ILIM 引脚上的
电阻进行调整,从而针对小尺寸电感进行优化。
1
•
具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果:
–
–
–
器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温
度范围
器件人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级
2
器件组件充电模式 (CDM) ESD 分类等级 C6
•
•
单片 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器电源解决方
案
4A 同步降压转换器
VTT 终端稳压器仅利用 2 × 10µF 的陶瓷输出电容即可
保持快速瞬态响应,从而减少外部组件数量。
TPS54116-Q1 使用 VTT 进行远程感测,从而实现最
佳的稳压效果。
–
集成了 33mΩ 高侧和 25mΩ 低侧金属氧化物半
导体场效应晶体管 (MOSFET)
–
–
–
–
–
–
固定频率电流模式控制
可调频率范围:100kHz 至 2.5MHz
与一个外部时钟同步
该器件可利用使能引脚进入关断模式,从而使电源电流
降至 1µA。欠压闭锁阈值可通过任一使能引脚上的电
阻网络进行设置。VTT 和 VTTREF 输出被 ENLDO 禁
用时会进行放电。
整个温度范围内的电压基准为 0.6V ± 1%
可调逐周期峰值电流限制
针对预偏置输出的单调性启动
•
直流精度为 ±20mV 的 1A 拉/灌电流终端低压降
(LDO) 稳压器
该器件具备全集成特性,并且采用小尺寸的 4mm ×
4mm 耐热增强型 WQFN 封装,最大限度地减小了 IC
尺寸。
–
与 2 × 10µF 多层陶瓷电容 (MLCC) 电容一起工
作时保持稳定
–
10mA 拉/灌电流缓冲参考输出稳定在 VDDQ 的
49% 至 51% 之间
器件信息(1)
器件型号
封装
WQFN (24)
封装尺寸(标称值)
•
•
•
•
独立使能引脚,欠压闭锁 (UVLO) 和迟滞均可调
热关断
TPS54116-Q1
4.00mm x 4.00mm
(1) 如需了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。
运行温度 (TJ) 范围:-40°C 至 150°C
简化电路原理图
24 引脚 4mm x 4mm 超薄四方扁平无引线
(WSON) 封装
TPS54116-Q1 BOOT
VIN
AVIN
2 应用
SW
ENSW
ENLDO
PGOOD
ILIM
•
嵌入式计算系统中的 DDR2、DDR3、DDR3L 和
VIN
PVIN
PGND
DDR4 存储器电源
•
SSTL_18、SSTL_15、SSTL_135、SSTL_12 和
HSTL 终端
VDDQSNS
LDOIN
SS/TRK
VDDQ
•
•
信息娱乐和仪表板
COMP
FB
VTT
先进的驾驶员辅助系统 (ADAS)
VTTSNS
VTTGND
VTTREF
VTT
3 说明
AGND
RT/SYNC
TPS54116-Q1 器件是一款功能全面的 6V、4A 同步降
压转换器,其配有两个集成型 MOSFET 以及带
VTTREF 缓冲参考输出的 1A 拉/灌电流双倍数据速率
(DDR) VTT 终端稳压器。
VTTREF
PAD
Copyright © 2016, Texas Instruments Incorporated
1
An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,
intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.
English Data Sheet: SLVSCO3