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TPS54116QRTWRQ1

更新时间： 2024-09-19 11:12:51
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 双倍数据速率开关转换器
页数 文件大小 规格书
41页 1180K
描述
采用 4A 2MHZ VDDQ 直流/直流转换器、1A VTT LDO 和 VTTREF 的汽车类 DDR 电源解决方案 | RTW | 24 | -40 to 125

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TPS54116QRTWRQ1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：HVQCCN,
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：1.68
其他特性：ALSO OPERATES IN ADJUSTABLE MODE FROM 0.6 TO 4.5V模拟集成电路 - 其他类型：SWITCHING REGULATOR
控制模式：CURRENT-MODE控制技术：PULSE WIDTH MODULATION
最大输入电压：6 V最小输入电压：2.95 V
标称输入电压：3.3 VJESD-30 代码：S-PQCC-N24
JESD-609代码：e4长度：4 mm
湿度敏感等级：2功能数量：1
端子数量：24最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：4 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：HVQCCN
封装形状：SQUARE封装形式：CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
座面最大高度：0.8 mm表面贴装：YES
切换器配置：BUCK最大切换频率：2500 kHz
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：NO LEAD端子节距：0.5 mm
端子位置：QUAD宽度：4 mm
Base Number Matches：1

TPS54116QRTWRQ1 数据手册

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TPS54116-Q1  
ZHCSFG9A –AUGUST 2016–REVISED AUGUST 2016  
TPS54116-Q1 2.95V 至 6V 输入、4A 降压转换器和 1A 拉/灌电流 DDR 终  
端稳压器  
1 特性  
TPS54116-Q1 降压稳压器通过集成 MOSFET 和减小  
电感尺寸来最大限度减小解决方案尺寸，开关频率最高  
达 2.5MHz。开关频率可设置在中波频段以上以满足噪  
声敏感型 应用 的需求，而且能够与外部时钟同步。同  
步整流使频率在整个输出负载范围内保持为固定值。效  
率通过集成 25mΩ 低侧 MOSFET 和 33mΩ 高侧  
MOSFET 得到了最大限度的提升。逐周期峰值电流限  
制在过流状态下保护器件，并且可通过 ILIM 引脚上的  
电阻进行调整，从而针对小尺寸电感进行优化。  
1
•
具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果：  
–
–
–
器件温度 1 级：-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温  
度范围  
器件人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级  
2
器件组件充电模式 (CDM) ESD 分类等级 C6  
•
•
单片 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器电源解决方  
案
4A 同步降压转换器  
VTT 终端稳压器仅利用 2 × 10µF 的陶瓷输出电容即可  
保持快速瞬态响应，从而减少外部组件数量。  
TPS54116-Q1 使用 VTT 进行远程感测，从而实现最  
佳的稳压效果。  
–
集成了 33mΩ 高侧和 25mΩ 低侧金属氧化物半  
导体场效应晶体管 (MOSFET)  
–
–
–
–
–
–
固定频率电流模式控制  
可调频率范围：100kHz 至 2.5MHz  
与一个外部时钟同步  
该器件可利用使能引脚进入关断模式，从而使电源电流  
降至 1µA。欠压闭锁阈值可通过任一使能引脚上的电  
阻网络进行设置。VTT 和 VTTREF 输出被 ENLDO 禁  
用时会进行放电。  
整个温度范围内的电压基准为 0.6V ± 1%  
可调逐周期峰值电流限制  
针对预偏置输出的单调性启动  
•
直流精度为 ±20mV 的 1A 拉/灌电流终端低压降  
(LDO) 稳压器  
该器件具备全集成特性，并且采用小尺寸的 4mm ×  
4mm 耐热增强型 WQFN 封装，最大限度地减小了 IC  
尺寸。  
–
与 2 × 10µF 多层陶瓷电容 (MLCC) 电容一起工  
作时保持稳定  
–
10mA 拉/灌电流缓冲参考输出稳定在 VDDQ 的  
49% 至 51% 之间  
器件信息(1)  
器件型号  
封装  
WQFN (24)  
封装尺寸（标称值）  
•
•
•
•
独立使能引脚，欠压闭锁 (UVLO) 和迟滞均可调  
热关断  
TPS54116-Q1  
4.00mm x 4.00mm  
(1) 如需了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。  
运行温度 (TJ) 范围：-40°C 至 150°C  
简化电路原理图  
24 引脚 4mm x 4mm 超薄四方扁平无引线  
(WSON) 封装  
TPS54116-Q1 BOOT  
VIN  
AVIN  
2 应用  
SW  
ENSW  
ENLDO  
PGOOD  
ILIM  
•
嵌入式计算系统中的 DDR2、DDR3、DDR3L 和  
VIN  
PVIN  
PGND  
DDR4 存储器电源  
•
SSTL_18、SSTL_15、SSTL_135、SSTL_12 和  
HSTL 终端  
VDDQSNS  
LDOIN  
SS/TRK  
VDDQ  
•
•
信息娱乐和仪表板  
COMP  
FB  
VTT  
先进的驾驶员辅助系统 (ADAS)  
VTTSNS  
VTTGND  
VTTREF  
VTT  
3 说明  
AGND  
RT/SYNC  
TPS54116-Q1 器件是一款功能全面的 6V、4A 同步降  
压转换器，其配有两个集成型 MOSFET 以及带  
VTTREF 缓冲参考输出的 1A 拉/灌电流双倍数据速率  
(DDR) VTT 终端稳压器。  
VTTREF  
PAD  
Copyright © 2016, Texas Instruments Incorporated  
1
An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,  
intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.  
English Data Sheet: SLVSCO3  
 
 
 
 
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TPS54116QRTWRQ1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
TPS54116QRTWTQ1 TI

完全替代

 采用 4A 2MHZ VDDQ 直流/直流转换器、1A VTT LDO 和 VTTREF

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TPS54116QRTWTQ1 TI

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 		采用 4A 2MHZ VDDQ 直流/直流转换器、1A VTT LDO 和 VTTREF
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TPS54120EVM TI

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 		TPS54120EVM, Low Noise 1A Power Supply Evaluation Module
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 		TPS54120EVM, Low Noise 1A Power Supply Evaluation Module
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