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TPS54116QRTWRQ1

更新时间： 2024-11-24 11:12:51

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		双倍数据速率开关转换器
页数	文件大小	规格书
41页	1180K
描述
采用 4A 2MHZ VDDQ 直流/直流转换器、1A VTT LDO 和 VTTREF 的汽车类 DDR 电源解决方案 \| RTW \| 24 \| -40 to 125

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TPS54116QRTWRQ1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	HVQCCN,
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	1.68
其他特性：	ALSO OPERATES IN ADJUSTABLE MODE FROM 0.6 TO 4.5V	模拟集成电路 - 其他类型：	SWITCHING REGULATOR
控制模式：	CURRENT-MODE	控制技术：	PULSE WIDTH MODULATION
最大输入电压：	6 V	最小输入电压：	2.95 V
标称输入电压：	3.3 V	JESD-30 代码：	S-PQCC-N24
JESD-609代码：	e4	长度：	4 mm
湿度敏感等级：	2	功能数量：	1
端子数量：	24	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	4 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	HVQCCN
封装形状：	SQUARE	封装形式：	CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
座面最大高度：	0.8 mm	表面贴装：	YES
切换器配置：	BUCK	最大切换频率：	2500 kHz
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	QUAD	宽度：	4 mm
Base Number Matches：	1

TPS54116QRTWRQ1 数据手册

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TPS54116-Q1

ZHCSFG9A –AUGUST 2016–REVISED AUGUST 2016

TPS54116-Q1 2.95V 至 6V 输入、4A 降压转换器和 1A 拉/灌电流 DDR 终

端稳压器

1 特性

TPS54116-Q1 降压稳压器通过集成 MOSFET 和减小

电感尺寸来最大限度减小解决方案尺寸，开关频率最高

达 2.5MHz。开关频率可设置在中波频段以上以满足噪

声敏感型应用的需求，而且能够与外部时钟同步。同

步整流使频率在整个输出负载范围内保持为固定值。效

率通过集成 25mΩ 低侧 MOSFET 和 33mΩ 高侧

MOSFET 得到了最大限度的提升。逐周期峰值电流限

制在过流状态下保护器件，并且可通过 ILIM 引脚上的

电阻进行调整，从而针对小尺寸电感进行优化。

•

具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果：

–

器件温度 1 级：-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温

度范围

器件人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级

器件组件充电模式 (CDM) ESD 分类等级 C6

•

单片 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器电源解决方

案

4A 同步降压转换器

VTT 终端稳压器仅利用 2 × 10µF 的陶瓷输出电容即可

保持快速瞬态响应，从而减少外部组件数量。

TPS54116-Q1 使用 VTT 进行远程感测，从而实现最

佳的稳压效果。

–

集成了 33mΩ 高侧和 25mΩ 低侧金属氧化物半

导体场效应晶体管 (MOSFET)

–

固定频率电流模式控制

可调频率范围：100kHz 至 2.5MHz

与一个外部时钟同步

该器件可利用使能引脚进入关断模式，从而使电源电流

降至 1µA。欠压闭锁阈值可通过任一使能引脚上的电

阻网络进行设置。VTT 和 VTTREF 输出被 ENLDO 禁

用时会进行放电。

整个温度范围内的电压基准为 0.6V ± 1%

可调逐周期峰值电流限制

针对预偏置输出的单调性启动

•

直流精度为 ±20mV 的 1A 拉/灌电流终端低压降

(LDO) 稳压器

该器件具备全集成特性，并且采用小尺寸的 4mm ×

4mm 耐热增强型 WQFN 封装，最大限度地减小了 IC

尺寸。

–

与 2 × 10µF 多层陶瓷电容 (MLCC) 电容一起工

作时保持稳定

–

10mA 拉/灌电流缓冲参考输出稳定在 VDDQ 的

49% 至 51% 之间

器件信息⁽¹⁾

器件型号

封装

WQFN (24)

封装尺寸（标称值）

•

独立使能引脚，欠压闭锁 (UVLO) 和迟滞均可调

热关断

TPS54116-Q1

4.00mm x 4.00mm

(1) 如需了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。

运行温度 (T_{J) 范围：-40°C 至 150°C}

简化电路原理图

24 引脚 4mm x 4mm 超薄四方扁平无引线

(WSON) 封装

TPS54116-Q1 _BOOT

V_IN

AVIN

2 应用

ENSW

ENLDO

PGOOD

ILIM

•

嵌入式计算系统中的 DDR2、DDR3、DDR3L 和

V_IN

PVIN

PGND

DDR4 存储器电源

•

SSTL_18、SSTL_15、SSTL_135、SSTL_12 和

HSTL 终端

VDDQSNS

LDOIN

SS/TRK

V_DDQ

•

信息娱乐和仪表板

COMP

VTT

先进的驾驶员辅助系统 (ADAS)

VTTSNS

VTTGND

VTTREF

V_TT

3 说明

AGND

RT/SYNC

TPS54116-Q1 器件是一款功能全面的 6V、4A 同步降

压转换器，其配有两个集成型 MOSFET 以及带

VTTREF 缓冲参考输出的 1A 拉/灌电流双倍数据速率

(DDR) VTT 终端稳压器。

V_TTREF

PAD

An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,

intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.

English Data Sheet: SLVSCO3

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TPS54116QRTWRQ1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
TPS54116QRTWTQ1	TI	完全替代	采用 4A 2MHZ VDDQ 直流/直流转换器、1A VTT LDO 和 VTTREF

与TPS54116QRTWRQ1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TPS54116QRTWTQ1	TI	获取价格	采用 4A 2MHZ VDDQ 直流/直流转换器、1A VTT LDO 和 VTTREF
TPS54120	TI	获取价格	Low-Noise, 1-A Power Supply
TPS54120EVM	TI	获取价格	TPS54120EVM, Low Noise 1A Power Supply Evaluation Module
TPS54120RGY	TI	获取价格	TPS54120EVM, Low Noise 1A Power Supply Evaluation Module
TPS54120RGYR	TI	获取价格	Low-Noise, 1-A Power Supply
TPS54120RGYT	TI	获取价格	Low-Noise, 1-A Power Supply
TPS54122	TI	获取价格	TPS54122-Q1 Dual-Output, 3-A, QuietSupplyâ¢
TPS54122-Q1	TI	获取价格	TPS54122-Q1 Dual-Output, 3-A, QuietSupplyâ¢
TPS54122-Q1_15	TI	获取价格	TPS54122-Q1 Dual-Output, 3-A, QuietSupplyâ¢
TPS54122QRHLRQ1	TI	获取价格	TPS54122-Q1 Dual-Output, 3-A, QuietSupplyâ¢

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