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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SOP-8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.71 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 150 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.00089 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | S-PDSO-F5 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TPHR6503PL1 | TOSHIBA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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| TPHR7404PU | TOSHIBA |
获取价格 |
N-ch MOSFET, 40 V, 0.00074 Ω@10V, SOP Advance |
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| TPHR7904PB | TOSHIBA |
获取价格 |
N-ch MOSFET, 40 V, 150 A, 0.00079 Ω@10V, SOP |
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| TPHR8504PL | TOSHIBA |
获取价格 |
N-ch MOSFET, 40 V, 0.00085 Ω@10V, SOP Advance |
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| TPHR8504PL1 | TOSHIBA |
获取价格 |
N-ch MOSFET, 40 V, 0.00085 Ω@10V, SOP Advance |
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| TPHR9003NC | TOSHIBA |
获取价格 |
N-ch MOSFET, 30 V, 0.0009 Ω@10V, SOP Advance, |
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| TPHR9003NL | TOSHIBA |
获取价格 |
Nch VDSS≤30V |
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| TPHR9003NL1 | TOSHIBA |
获取价格 |
N-ch MOSFET, 30 V, 0.0009 Ω@10V, SOP Advance( |
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| TPHR9203PL | TOSHIBA |
获取价格 |
N-ch MOSFET, 30 V, 0.00092 Ω@10V, SOP Advance |
|
| TPHR9203PL1 | TOSHIBA |
获取价格 |
N-ch MOSFET, 30 V, 0.00092 Ω@10V, SOP Advance |
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