5秒后页面跳转
TPCP8111 PDF预览

TPCP8111

更新时间: 2024-01-09 21:00:53
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 227K
描述
Pch Power MOSFET

TPCP8111 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.76配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (ID):3 A
最大漏源导通电阻:0.1584 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-F8元件数量:1
端子数量:8工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL参考标准:AEC-Q101
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

TPCP8111 数据手册

 浏览型号TPCP8111的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TPCP8111的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TPCP8111的Datasheet PDF文件第4页浏览型号TPCP8111的Datasheet PDF文件第6页浏览型号TPCP8111的Datasheet PDF文件第7页浏览型号TPCP8111的Datasheet PDF文件第8页 
TPCP8111  
8. Characteristics Curves (Note)  
Fig. 8.1 ID - VDS  
Fig. 8.2 ID - VDS  
Fig. 8.3 ID - VGS  
Fig. 8.4 VDS - VGS  
Fig. 8.5 RDS(ON) - ID  
Fig. 8.6 RDS(ON) - Ta (Note 8)  
2013-10-22  
Rev.1.0  
5

与TPCP8111相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
TPCP8201 TOSHIBA TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS III)

获取价格

TPCP8201_07 TOSHIBA TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS III)

获取价格

TPCP8202 TOSHIBA TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOSIV)

获取价格

TPCP8202(TE85LFM TOSHIBA Small Signal Field-Effect Transistor

获取价格

TPCP8202_1 TOSHIBA Portable Equipment Applications Motor Drive Applications DC_DC Converters

获取价格

TPCP8203 TOSHIBA TRANSISTOR 4700 mA, 40 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, LEAD FREE, 2-3V1

获取价格