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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.75 | Is Samacsys： | N |
| 阳极到阴极的最大电压： | 40 V | 配置： | SINGLE |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最大通态电流： | 150 A |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -50 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值电流最大值： | 0.15 µA |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 最大功率耗散： | 0.3 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Programmable Unijunction Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 触发设备类型： | PROGRAMMABLE UJT |
| Valley Current-Min： | 25 µA | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TN4234 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-237 |
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| TN4235 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-237 |
|
| TN4236 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-237 |
|
| TN4-25702 | ETC |
获取价格 |
TN4-25702(TSX-8A type) |
|
| TN431-14 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.4KV V(DRM),430A I(T),TO-200AB |
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| TN431-20 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,2KV V(DRM),430A I(T),TO-200AB |
|
| TN4314 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 65V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-237 |
|
| TN432-01 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,100V V(DRM),525A I(T),TO-200AB |
|
| TN432-02 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),525A I(T),TO-200AB |
|
| TN432-04 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),525A I(T),TO-200AB |
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