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TN4R02

更新时间： 2024-11-08 08:40:59
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描述
TN4R02

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TN4R02 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220F
包装说明：,针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.84
Is Samacsys：N其他特性：ALSO REQUIRES A NEGATIVE SUPPLY OF -10 TO -25V
模拟集成电路 - 其他类型：SWITCHING REGULATOR最大输入电压：25 V
最小输入电压：10 VJESD-30 代码：R-PZFM-T5
功能数量：1端子数量：5
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-25 °C
最大输出电流：24 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
切换器配置：SINGLE最大切换频率：200 kHz
温度等级：OTHER端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：ZIG-ZAGBase Number Matches：1

TN4R02 数据手册

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注文コードNo.N 7 6 4 9  
エクセレントパワーデバイス  
TN4R02  
RCC 方式電源用スイッチングレギュレータ用  
特長  
・遅延RCC 方式制御IC 内蔵。  
・電流検出機能付きM OSFET 内蔵。  
・過電流保護機能内蔵。  
・過大入力電圧保護機能内蔵。  
絶対最大定格AbsoluteM axim um Ratings/Ta=25℃  
項目  
記号  
条件  
PW ≦10µs,dutycycle≦1％  
Tc=25℃  
定格値  
unit  
V
ドレイン・ソース電圧  
ドレイン電流(DC)  
ドレイン電流(パルス)  
制御部入力電圧  
V
450  
6
DS  
I
D
A
I
24  
30  
2.0  
35  
A
DP  
V
V
IN  
W
許容損失  
P
D
W
動作温度  
Topr  
Tj  
－25～＋125  
150  
℃
℃
℃
接合部温度  
保存周囲温度  
Tstg  
－55～＋150  
電気的特性ElectricalCharacteristics/Ta=25℃  
定格値  
項目  
[M OSFET 部]  
記号  
条件  
unit  
m in  
typ  
m ax  
ドレイン・ソース降伏電圧  
ドレイン・ソースしゃ断電流  
ゲート・ソースしゃ断電圧  
ドレイン・ソース間オン抵抗  
入力容量  
V
I =1m A,V  
D
=0  
450  
3.0  
V
(BR)DSS  
DELAY  
I
DSS  
V
V
=450V,V  
DELAY  
=10V,I =1m A  
=0  
1.0 mA  
DS  
DS  
V
(off)  
4.0  
1.3  
V
Ω
GS  
DS  
D
R
(on)  
I =3.3A,V  
D
=15V  
DELAY  
0.95  
790  
210  
Ciss  
Coss  
V
V
=20V,f=1M Hz  
=20V,f=1M Hz  
pF  
pF  
DS  
DS  
出力容量  
[IC 部]  
過大入力保護電圧  
V
V
I
=1m A,V =0  
IN FB  
30  
V
V
IN(OV)  
FB  
過電流保護・FB 端子検出電圧  
V
,V =10V,I =50m A  
DELAY IN IN  
2.0  
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途（生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、  
多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に  
は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。  
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等)を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥  
について、弊社は責任を負いません。  
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号  
No.7649-1/4  
13004TS IM ◎佐藤TA-100804  
1234

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