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TN4R01

更新时间： 2024-09-19 21:54:07
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页数 文件大小 规格书
4页 43K
描述
Switching Regulator IC for RCC Method Power Supplies Applications

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TN4R01 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SFM
包装说明：,针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.84
Is Samacsys：N其他特性：ALSO REQUIRES A NEGATIVE SUPPLY OF -10 TO -25V
模拟集成电路 - 其他类型：SWITCHING REGULATOR最大输入电压：25 V
最小输入电压：10 VJESD-30 代码：R-PZFM-T5
功能数量：1端子数量：5
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-25 °C
最大输出电流：18 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
切换器配置：SINGLE最大切换频率：200 kHz
温度等级：OTHER端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：ZIG-ZAGBase Number Matches：1

TN4R01 数据手册

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Ordering number : ENN7648  
ExPD (Excellent Power Device)  
Switching Regulator IC for RCC  
Method Power Supplies Applications  
TN4R01  
Features  
• Original control IC for Delay RCC-type.  
• High voltage power MOSFET with current sense.  
• Overload protection.  
• Only few external components required.  
• Small Full-Isolation package : TO-220FI5H.  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C  
Parameter  
Drain-to-Source Voltage  
Drain Current (DC)  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
V
450  
4.5  
18  
DS  
I
A
D
Drain Current (Pulse)  
IC Input Voltage  
I
PW≤10µs, duty cycle≤1%  
A
DP  
V
IN  
30  
V
2.0  
25  
W
W
°C  
°C  
°C  
Allowable Power Dissipation  
P
D
Tc=25°C  
Operating Temperature  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Topr  
Tj  
--25 to +125  
150  
Tstg  
--55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta=25°C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
max  
[MOSFET]  
Drain-to-Source Breakdown Voltage  
Zero-Gate Voltage Drain Current  
Cutoff Voltage  
V
I
=1mA, V =0  
DELAY  
450  
V
mA  
V
(BR)DSS  
D
I
V
V
=450V, V  
DELAY  
=10V, I =1mA  
=0  
1.0  
4.0  
DSS  
DS  
V
(off)  
GS  
3.0  
DS  
D
Static Drain-to-Source On-State Resistance  
Input Capacitance  
R
(on)  
I
=2.3A, V  
=15V  
1.25  
610  
1.6  
Ω
DS  
D DELAY  
Ciss  
V
=20V, f=1MHz  
=20V, f=1MHz  
pF  
pF  
DS  
DS  
Output Capacitance  
Coss  
V
160  
[IC]  
Restriction of Drive Voltage  
Detection Voltage of Feedback and  
Overload Amplifier  
V
I
=1mA, V =0  
30  
V
V
IN(OV)  
IN FB  
V
V
V =10V, I =50mA  
DELAY, IN IN  
2.0  
FB  
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle  
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's  
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious  
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using  
any SANYO products described or contained herein in such applications.  
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that  
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other  
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained  
herein.  
SANYO Electric Co.,Ltd. Sem iconductor Com pany  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
13004 TS IM TA-100805  
No.7648-1/4  
1234

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