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TN28F010-200

更新时间: 2024-09-20 21:15:27
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 内存集成电路
页数 文件大小 规格书
31页 1068K
描述
Flash, 128KX8, 200ns, PQCC32,

TN28F010-200 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:QCCJ, LDCC32,.5X.6Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:200 ns
命令用户界面:YES数据轮询:NO
耐久性:10000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码:R-PQCC-J32
JESD-609代码:e0内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:8
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:128KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:QCCJ
封装等效代码:LDCC32,.5X.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.0001 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.03 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD切换位:NO
类型:NOR TYPEBase Number Matches:1

TN28F010-200 数据手册

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