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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.46 |
| 其他特性： | LOW THRESHOLD | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 350 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 25 pF | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TN2635N3P002 | SUPERTEX |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 350V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| TN2635N3P004 | SUPERTEX |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 350V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| TN2635N3P007 | SUPERTEX |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 350V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| TN2635N3P008 | SUPERTEX |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 350V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| TN2635N3P011 | SUPERTEX |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 350V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| TN2635N3P012 | SUPERTEX |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 350V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| TN2635N3P013 | SUPERTEX |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 350V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| TN2635N3P016 | SUPERTEX |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 350V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| TN2635N3P017 | SUPERTEX |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 350V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| TN2635N3P018 | SUPERTEX |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 350V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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