5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> TN2640LG-G
TN2640LG-G PDF预览

TN2640LG-G

更新时间： 2024-11-08 12:29:15
品牌 Logo 应用领域
超科 - SUPERTEX 晶体晶体管开关脉冲光电二极管输入元件
页数 文件大小 规格书
8页 738K
描述
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

阅读下载

中文翻译

获取价格

TN2640LG-G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOIC
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.44其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE, HIGH INPUT IMPEDANCE, LOW THRESHOLD
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.26 A最大漏极电流 (ID)：0.26 A
最大漏源导通电阻：5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：15 pFJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：1.3 W
最大功率耗散 (Abs)：1.3 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：2 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：52 ns最大开启时间（吨）：35 ns

TN2640LG-G 数据手册

 浏览型号TN2640LG-G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TN2640LG-G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TN2640LG-G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号TN2640LG-G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号TN2640LG-G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号TN2640LG-G的Datasheet PDF文件第7页 
TN2640  
N-Channel Enhancement-Mode  
Vertical DMOS FETs  
Features  
General Description  
► Low threshold (2.0V max.)  
► High input impedance  
This low threshold enhancement-mode (normally-off)  
transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex’s  
well-proven silicon-gate manufacturing process. This  
combination produces a device with the power handling  
capabilities of bipolar transistors and with the high input  
impedance and positive temperature coefficient inherent  
in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this  
device is free from thermal runaway and thermally induced  
secondary breakdown.  
► Low input capacitance  
► Fast switching speeds  
► Low on-resistance  
► Free from secondary breakdown  
► Low input and output leakage  
Applications  
► Logic level interfaces - ideal for TTL and CMOS  
► Solid state relays  
Supertex’s vertical DMOS FETs are ideally suited to a  
wide range of switching and amplifying applications where  
very low threshold voltage, high breakdown voltage, high  
input impedance, low input capacitance, and fast switching  
speeds are desired.  
► Battery operated systems  
► Photo voltaic drives  
► Analog switches  
► General purpose line drivers  
► Telecom switches  
Ordering Information  
Package Options  
Device  
RDS(ON)  
(max)  
(Ω)  
VGS(th)  
(max)  
(V)  
ID(ON)  
(min)  
(A)  
BVDSS/BVDGS  
(V)  
TO-252 (D-PAK) 8-Lead SOIC  
TO-92  
Die*  
TN2640  
TN2640K4-G  
TN2640LG-G TN2640N3-G TN2640ND  
400  
5.0  
2.0  
2.0  
-G indicates package is RoHS compliant (‘Green’)  
* MIL visual screening available  
Pin Configurations  
DRAIN  
DRAIN  
DRAIN  
DRAIN  
DRAIN  
GATE  
SOURCE  
N/C  
N/C  
SOURCE  
GATE  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
TO-252 (D-PAK) (K4)  
8-Lead SOIC (LG)  
Value  
BVDSS  
Drain-to-source voltage  
Drain-to-gate voltage  
BVDGS  
Gate-to-source voltage  
±20V  
DRAIN  
Operating and storage temperature  
Soldering temperature*  
-55°C to +150°C  
+300°C  
SOURCE  
Absolute Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device  
may occur. Functional operation under these conditions is not implied. Continuous  
operation of the device at the absolute rating level may affect device reliability. All  
voltages are referenced to device ground.  
GATE  
TO-92 (N3)  
*
Distance of 1.6mm from case for 10 seconds.  
● 1235 Bordeaux Drive, Sunnyvale, CA 94089 ● Tel: 408-222-8888 ● www.supertex.com  
12345678

中文翻译

下载PDF

TN2640LG-G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
TN2640LG SUPERTEX

功能相似

 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

与TN2640LG-G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TN2640LGP030 SUPERTEX

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.26A I(D), 400V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
TN2640LGP031 SUPERTEX

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.26A I(D), 400V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
TN2640N3 SUPERTEX

获取价格

 		N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TN2640N3-G SUPERTEX

获取价格

 		N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TN2640N3-GP002 SUPERTEX

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor
TN2640N3-GP003 SUPERTEX

获取价格

 		SMALL SIGNAL, FET
TN2640N3-GP005 SUPERTEX

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor
TN2640N3-GP013 SUPERTEX

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor
TN2640N3-GP015 SUPERTEX

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor
TN2640N3P001 SUPERTEX

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 400V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

与TN2640LG-G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证