TN0106

更新时间： 2024-01-18 01:09:32

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描述
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

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TN0106 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.75
配置：	Single	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

TN0106 数据手册

TN0106/TN0110

Typical Performance Curves

BV_DSSVariation with Temperature

On-Resistance vs. Drain Current

1.3

5.0

4.0

3.0

2.0

= 5V

= 10V

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

1.0

4.0

1.0

3.0

-50

100

150

5.0

2.0

I_D(amperes)

T_j(°C)

Transfer Characteristics

V_(th)and R_DSVariation with Temperature

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

3.0

2.4

1.8

1.2

0.6

= 25V

T = -55°C

@ 0.5mA

(th)

25°C

@ 10V, 0.5A

DS(ON)

150°C

-50

100

150

V_GS(volts)

T_j(°C)

Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage

f = 1MHz

Gate Drive Dynamic Characteristics

100

= 10V

55pF

40V

ISS

OSS

RSS

50pF

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

Q_G(nanocoulombs)

V_DS(volts)

7-38

1 2 34

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