TN0110N3

更新时间： 2024-01-31 05:23:36

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超科 - SUPERTEX		晶体小信号场效应晶体管开关
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描述
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

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TN0110N3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.03
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	0.35 A
最大漏源导通电阻：	3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	8 pF	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TN0110N3 数据手册

TN0106

TN0110

Low Threshold

N-Channel Enhancement-Mode

Vertical DMOS FETs

Ordering Information

Order Number / Package

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D(ON)

V_GS(th)

(max)

BV_DGS

(max)

(min)

TO-92

Die^†

60V

3.0Ω

2.0V

TN0106N3

TN0110N3

—

100V

TN0110ND

^†MIL visual screening available

Features

Low Threshold DMOS Technology

These low threshold enhancement-mode (normally-off) transis-

tors utilize a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven

silicon-gate manufacturing process. This combination produces

devices with the power handling capabilities of bipolar transistors

and with the high input impedance and positive temperature

coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS

structures, these devices are free from thermal runaway and

thermally-induced secondary breakdown.

■ Low threshold — 2.0V max.

■ High input impedance

■ Low input capacitance — 50pF typical

■ Fast switching speeds

■ Low on resistance

■ Free from secondary breakdown

■ Low input and output leakage

■ Complementary N- and P-channel devices

Supertex’s vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range

of switching and amplifying applications where very low threshold

voltage, highbreakdownvoltage, highinputimpedance, lowinput

capacitance, and fast switching speeds are desired.

Applications

■ Logic level interfaces – ideal for TTL and CMOS

Package Options

■ Solid state relays

■ Battery operated systems

■ Photo voltaic drives

■ Analog switches

■ General purpose line drivers

■ Telecom switches

Absolute Maximum Ratings

Drain-to-Source Voltage

Drain-to-Gate Voltage

Gate-to-Source Voltage

BV_DSS

BV_DGS

± 20V

S G D

TO-92

Operating and Storage Temperature

Soldering Temperature*

-55°C to +150°C

300°C

* Distance of 1.6 mm from case for 10 seconds.

Note: See Package Outline section for dimensions.

7-35

12 3 4

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与TN0110N3相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
TN0110N3-G	MICROCHIP	350mA, 100V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92	获取价格
TN0110N3-G	SUPERTEX	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET	获取价格
TN0110N3-GP002	SUPERTEX	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET	获取价格
TN0110N3-GP003	SUPERTEX	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET	获取价格
TN0110N3-GP005	SUPERTEX	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET	获取价格
TN0110N3-GP013	SUPERTEX	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET	获取价格

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