生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOJ |
包装说明: | SOJ, | 针数: | 20 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.02 | 风险等级: | 5.84 |
访问模式: | STATIC COLUMN | 最长访问时间: | 100 ns |
JESD-30 代码: | R-PDSO-J20 | 长度: | 17.145 mm |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | STATIC COLUMN DRAM |
内存宽度: | 4 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 20 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 组织: | 256KX4 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOJ | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 512 | 座面最大高度: | 3.76 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 7.57 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TMX44C257-10N | TI |
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256KX4 STATIC COLUMN DRAM, 100ns, PDIP20 | |
TMX44C257-12DJ | TI |
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256KX4 STATIC COLUMN DRAM, 120ns, PDSO20, PLASTIC, SOJ-26/20 | |
TMX44C257-12N | TI |
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256KX4 STATIC COLUMN DRAM, 120ns, PDIP20 | |
TMX44C257-15N | TI |
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256KX4 STATIC COLUMN DRAM, 150ns, PDIP20 | |
TMX44C259-10N | TI |
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256KX4 NIBBLE MODE DRAM, 100ns, PDIP20 | |
TMX44C259-12DJ | TI |
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256KX4 NIBBLE MODE DRAM, 120ns, PDSO20, PLASTIC, SOJ-26/20 | |
TMX44C259-12N | TI |
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256KX4 NIBBLE MODE DRAM, 120ns, PDIP20 | |
TMX44C259-15N | TI |
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256KX4 NIBBLE MODE DRAM, 150ns, PDIP20 | |
TMX470R1A64PN | TI |
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16/32-Bit RISC Flash Microcontroller | |
TMX476K006P0B2 | VISHAY |
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Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum, 6V, 10% +Tol, 10% -Tol, 47uF |