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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOJ |
| 包装说明： | SOJ, | 针数： | 20 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.84 |
| 访问模式： | STATIC COLUMN | 最长访问时间： | 100 ns |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-J20 | 长度： | 17.145 mm |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | STATIC COLUMN DRAM |
| 内存宽度： | 4 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 20 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 组织： | 256KX4 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOJ | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 512 | 座面最大高度： | 3.76 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 7.57 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TMX44C257-10N | TI |
获取价格 |
256KX4 STATIC COLUMN DRAM, 100ns, PDIP20 |
|
| TMX44C257-12DJ | TI |
获取价格 |
256KX4 STATIC COLUMN DRAM, 120ns, PDSO20, PLASTIC, SOJ-26/20 |
|
| TMX44C257-12N | TI |
获取价格 |
256KX4 STATIC COLUMN DRAM, 120ns, PDIP20 |
|
| TMX44C257-15N | TI |
获取价格 |
256KX4 STATIC COLUMN DRAM, 150ns, PDIP20 |
|
| TMX44C259-10N | TI |
获取价格 |
256KX4 NIBBLE MODE DRAM, 100ns, PDIP20 |
|
| TMX44C259-12DJ | TI |
获取价格 |
256KX4 NIBBLE MODE DRAM, 120ns, PDSO20, PLASTIC, SOJ-26/20 |
|
| TMX44C259-12N | TI |
获取价格 |
256KX4 NIBBLE MODE DRAM, 120ns, PDIP20 |
|
| TMX44C259-15N | TI |
获取价格 |
256KX4 NIBBLE MODE DRAM, 150ns, PDIP20 |
|
| TMX470R1A64PN | TI |
获取价格 |
16/32-Bit RISC Flash Microcontroller |
|
| TMX476K006P0B2 | VISHAY |
获取价格 |
Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum, 6V, 10% +Tol, 10% -Tol, 47uF |
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