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TMX4C1026-15N

更新时间: 2024-10-27 19:45:07
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
4页 97K
描述
1MX1 NIBBLE MODE DRAM, 150ns, PDIP18

TMX4C1026-15N 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DIP,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:NIBBLE最长访问时间:150 ns
JESD-30 代码:R-PDIP-T18长度:22.48 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:NIBBLE MODE DRAM
内存宽度:1功能数量:1
端口数量:1端子数量:18
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS组织:1MX1
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE认证状态:Not Qualified
刷新周期:512座面最大高度:5.08 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

TMX4C1026-15N 数据手册

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