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TMX4C1027-12N

更新时间: 2024-10-27 19:45:07
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
4页 97K
描述
1MX1 STATIC COLUMN DRAM, 120ns, PDIP18

TMX4C1027-12N 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.84访问模式:STATIC COLUMN
最长访问时间:120 nsJESD-30 代码:R-PDIP-T18
长度:22.48 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STATIC COLUMN DRAM内存宽度:1
功能数量:1端口数量:1
端子数量:18字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:ASYNCHRONOUS
组织:1MX1输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
认证状态:Not Qualified刷新周期:512
座面最大高度:5.08 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

TMX4C1027-12N 数据手册

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