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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.02 |
| 风险等级： | 5.84 | 访问模式： | NIBBLE |
| 最长访问时间： | 100 ns | JESD-30 代码： | R-PDIP-T18 |
| 长度： | 22.48 mm | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | NIBBLE MODE DRAM | 内存宽度： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 18 | 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 组织： | 1MX1 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 512 |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TMX4C1026-12N | TI |
获取价格 |
1MX1 NIBBLE MODE DRAM, 120ns, PDIP18 |
|
| TMX4C1026-15N | TI |
获取价格 |
1MX1 NIBBLE MODE DRAM, 150ns, PDIP18 |
|
| TMX4C1027-10DJ | TI |
获取价格 |
1MX1 STATIC COLUMN DRAM, 100ns, PDSO20, PLASTIC, SOJ-26/20 |
|
| TMX4C1027-10N | TI |
获取价格 |
1MX1 STATIC COLUMN DRAM, 100ns, PDIP18 |
|
| TMX4C1027-12N | TI |
获取价格 |
1MX1 STATIC COLUMN DRAM, 120ns, PDIP18 |
|
| TMX4C1027-15N | TI |
获取价格 |
1MX1 STATIC COLUMN DRAM, 150ns, PDIP18 |
|
| TMX4C1028-10N | TI |
获取价格 |
TMX4C1028-10N |
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| TMX4C1028-12N | TI |
获取价格 |
TMX4C1028-12N |
|
| TMX4C1028-15N | TI |
获取价格 |
TMX4C1028-15N |
|
| TMX4C1029-10DJ | TI |
获取价格 |
1MX1 NIBBLE MODE DRAM, 100ns, PDSO20, PLASTIC, SOJ-26/20 |
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