生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.02 |
风险等级: | 5.84 | 访问模式: | STATIC COLUMN |
最长访问时间: | 100 ns | JESD-30 代码: | R-PDIP-T20 |
长度: | 24.325 mm | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | STATIC COLUMN DRAM | 内存宽度: | 4 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 20 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
组织: | 256KX4 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 512 |
座面最大高度: | 5.08 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 7.62 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TMX44C257-12DJ | TI |
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256KX4 STATIC COLUMN DRAM, 120ns, PDSO20, PLASTIC, SOJ-26/20 | |
TMX44C257-12N | TI |
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256KX4 STATIC COLUMN DRAM, 120ns, PDIP20 | |
TMX44C257-15N | TI |
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256KX4 STATIC COLUMN DRAM, 150ns, PDIP20 | |
TMX44C259-10N | TI |
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256KX4 NIBBLE MODE DRAM, 100ns, PDIP20 | |
TMX44C259-12DJ | TI |
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256KX4 NIBBLE MODE DRAM, 120ns, PDSO20, PLASTIC, SOJ-26/20 | |
TMX44C259-12N | TI |
获取价格 |
256KX4 NIBBLE MODE DRAM, 120ns, PDIP20 | |
TMX44C259-15N | TI |
获取价格 |
256KX4 NIBBLE MODE DRAM, 150ns, PDIP20 | |
TMX470R1A64PN | TI |
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16/32-Bit RISC Flash Microcontroller | |
TMX476K006P0B2 | VISHAY |
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Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum, 6V, 10% +Tol, 10% -Tol, 47uF | |
TMX476K025P0A1 | VISHAY |
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Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum, 25V, 10% +Tol, 10% -Tol, 47uF, 69 |