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TMS44400P-70DJ

更新时间： 2024-11-11 15:54:51

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
22页	1239K
描述
1MX4 FAST PAGE DRAM, 70ns, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20

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TMS44400P-70DJ 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOJ	包装说明：	SOJ, SOJ20/26,.34
针数：	20	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.49	Is Samacsys：	N
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/BATTERY BACKUP/SELF REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-J20	长度：	17.145 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	20
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOJ	封装等效代码：	SOJ20/26,.34
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	1024
座面最大高度：	3.76 mm	自我刷新：	YES
最大待机电流：	0.0005 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.09 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...22

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TMS44400P-70SD	TI	获取价格	1MX4 FAST PAGE DRAM, 70ns, PZIP20, PLASTIC, ZIP-20
TMS44400P-80DGA	TI	获取价格	1MX4 FAST PAGE DRAM, 80ns, PDSO20, PLASTIC, TSOP-26/20
TMS44400P-80DJ	TI	获取价格	1MX4 FAST PAGE DRAM, 80ns, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
TMS44400PDGA	TI	获取价格	1048576-WORD BY 4-BIT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES
TMS44400PDGA-60	TI	获取价格	1MX4 FAST PAGE DRAM, 60ns, PDSO20, PLASTIC, TSOP-26/20
TMS44400PDGA-70	TI	获取价格	1MX4 FAST PAGE DRAM, 70ns, PDSO20, PLASTIC, TSOP-26/20
TMS44400PDJ	TI	获取价格	1048576-WORD BY 4-BIT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES
TMS44400PDJ-60	TI	获取价格	1MX4 FAST PAGE DRAM, 60ns, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
TMS44400PDJ-70	TI	获取价格	1MX4 FAST PAGE DRAM, 70ns, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
TMS44409	TI	获取价格	1048576-WORD BY 4-BIT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORY