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TMS44410-10SD

更新时间: 2024-09-23 15:54:51
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 601K
描述
1MX4 FAST PAGE DRAM, 100ns, PZIP20, PLASTIC, ZIP-20

TMS44410-10SD 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:ZIP
包装说明:ZIP, ZIP20,.1针数:20
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.92
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:100 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PZIP-T20内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:4
功能数量:1端口数量:1
端子数量:20字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:ZIP
封装等效代码:ZIP20,.1封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024座面最大高度:10.16 mm
自我刷新:NO最大待机电流:0.001 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.065 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:1.27 mm
端子位置:ZIG-ZAG处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:2.8 mmBase Number Matches:1

TMS44410-10SD 数据手册

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