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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SIMM |
| 包装说明： | , SIP35,.2 | 针数： | 35 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.83 |
| 访问模式： | PAGE | 最长访问时间： | 150 ns |
| 其他特性： | RAS ONLY REFRESH; 256 X 5 SAM PORT | JESD-30 代码： | R-XSMA-T35 |
| 内存密度： | 327680 bit | 内存集成电路类型： | VIDEO DRAM MODULE |
| 内存宽度： | 5 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 2 | 端子数量： | 35 |
| 字数： | 65536 words | 字数代码： | 64000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 64KX5 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装等效代码： | SIP35,.2 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 256 |
| 子类别： | Other Memory ICs | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | NMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TM4161EP5-20L | ROCHESTER |
获取价格 |
Video DRAM Module, 64KX5, 200ns, NMOS, 3.500 X 0.450 INCH, SIMM-35 |
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| TM4161EP5-20L | TI |
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64KX5 VIDEO DRAM MODULE, 200ns, SMA35, 3.500 X 0.450 INCH, SIMM-35 |
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| TM4161EV4-15L | TI |
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64KX4 VIDEO DRAM MODULE, 150ns, SMA31, 3.100 X 0.450 INCH, SIMM-31 |
|
| TM4161EV4-15L | ROCHESTER |
获取价格 |
Video DRAM Module, 64KX4, 150ns, NMOS, 3.100 X 0.450 INCH, SIMM-31 |
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| TM4161EV4-20L | TI |
获取价格 |
64KX4 VIDEO DRAM MODULE, 200ns, SMA31, 3.100 X 0.450 INCH, SIMM-31 |
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| TM4161GW4-15L | TI |
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64KX4 VIDEO DRAM MODULE, 150ns, SMA30, 3.500 X 12.700 INCH, SIMM-30 |
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| TM4161GW4-20L | TI |
获取价格 |
64KX4 VIDEO DRAM MODULE, 200ns, SMA30, 3.500 X 12.700 INCH, SIMM-30 |
|
| TM4161GW4-20L | ROCHESTER |
获取价格 |
Video DRAM Module, 64KX4, 200ns, NMOS, 3.500 X 12.700 INCH, SIMM-30 |
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| TM4161GY4-15L | TI |
获取价格 |
64KX4 VIDEO DRAM MODULE, 150ns, SMA30, 3 X 0.450 INCH, SIMM-30 |
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| TM4161GY4-15L | ROCHESTER |
获取价格 |
Video DRAM Module, 64KX4, 150ns, NMOS, 3 X 0.450 INCH, SIMM-30 |
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