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TM2SN64EPH-10 PDF预览

TM2SN64EPH-10

更新时间： 2024-02-18 14:41:26
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 时钟动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
15页 253K
描述
2MX64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 7ns, DMA168, DIMM-168

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TM2SN64EPH-10 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DIMM
包装说明：DIMM, DIMM168针数：168
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.02风险等级：5.84
访问模式：DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间：7 ns
最大时钟频率 (fCLK)：100 MHzI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-XDMA-N168内存密度：134217728 bit
内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM MODULE内存宽度：64
功能数量：1端口数量：1
端子数量：168字数：2097152 words
字数代码：2000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：2MX64输出特性：3-STATE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：DIMM
封装等效代码：DIMM168封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：4096
最大待机电流：0.008 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.72 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：NO LEAD
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

TM2SN64EPH-10 数据手册

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TM2SN64EPH 2097152 BY 64-BIT  
TM4SN64EPH 4194304 BY 64-BIT  
SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULES  
SMMS706A – MARCH 1998 – REVISED APRIL 1998  
Organization:  
– TM2SN64EPH . . . 2 097 152 x 64 Bits  
– TM4SN64EPH . . . 4 194 304 x 64 Bits  
High-Speed, Low-Noise, Low-Voltage TTL  
(LVTTL) Interface  
Read Latencies 2 and 3 Supported  
Single 3.3-V Power Supply  
(±10% Tolerance)  
Support Burst-Interleave and  
Burst-Interrupt Operations  
Designed for 66-MHz 4-Clock Systems  
Burst Length Programmable to 1, 2, 4,  
and 8  
JEDEC 168-Pin Dual-In-Line Memory  
Module (DIMM) Without Buffer for Use With  
Socket  
Two Banks for On-Chip Interleaving  
(Gapless Access)  
TM2SN64EPH — Uses Eight 16M-Bit  
Synchronous Dynamic RAMs (SDRAMs)  
(2M × 8-Bit) in Plastic Thin Small-Outline  
Packages (TSOPs)  
Ambient Temperature Range  
0°C to 70°C  
Gold-Plated Contacts  
Pipeline Architecture  
TM4SN64EPH — Uses Sixteen 16M-Bit  
SDRAMs (2M × 8-Bit) in Plastic TSOPs  
Serial Presence Detect (SPD) Using  
EEPROM  
Byte-Read/Write Capability  
Performance Ranges:  
SYNCHRONOUS  
CLOCK CYCLE  
TIME  
ACCESS TIME  
CLOCK TO  
OUTPUT  
REFRESH  
INTERVAL  
t
t
t
t
AC2  
CK3  
CK2  
AC3  
†
(CL = 3)  
(CL = 2) (CL = 3) (CL = 2)  
’xSN64EPH-10  
10 ns  
15 ns 7.5 ns 7.5 ns  
64 ms  
†
CL = CAS latency  
description  
The TM2SN64EPH is a 16M-byte, 168-pin dual-in-line memory module (DIMM). The DIMM is composed of  
eight TMS626812BDGE, 2097152 x 8-bit SDRAMs, each in a 400-mil, 44-pin plastic thin small-outline package  
(TSOP) mounted on a substrate with decoupling capacitors. See the TMS626812B data sheet (literature  
number SMOS693).  
The TM4SN64EPH is a 32M-byte, 168-pin DIMM. The DIMM is composed of sixteen TMS626812BDGE,  
2097152 x 8-bit SDRAMs, each in a 400-mil, 44-pin plastic TSOP mounted on a substrate with decoupling  
capacitors.  
operation  
The TM2SN64EPH operates as eight TMS626812BDGE devices that are connected as shown in the  
TM2SN64EPH functional block diagram. The TM4SN64EPH operates as sixteen TMS626812BDGE devices  
connected as shown in the TM4SN64EPH functional block diagram.  
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
Copyright 1998, Texas Instruments Incorporated  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of Texas Instruments  
standard warranty. Production processing does not necessarily include  
testing of all parameters.  
1
POST OFFICE BOX 1443 • HOUSTON, TEXAS 77251–1443  
1234567...15

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