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TK10A50D

更新时间： 2024-11-11 21:21:35

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	192K
描述
TRANSISTOR 10 A, 500 V, 0.72 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, 2-10U1B, SC-67, 3 PIN, FET General Purpose Power

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TK10A50D 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SC-67	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.32	雪崩能效等级（Eas）：	264 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A
最大漏极电流 (ID)：	10 A	最大漏源导通电阻：	0.72 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	45 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TK10A50D 数据手册

TK10A50D

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ)

TK10A50D

Switching Regulator Applications

Unit: mm

•

Low drain-source ON-resistance: R

High forward transfer admittance: ⎪Y ⎪ = 5.0 S (typ.)

= 0.62 Ω (typ.)

DS (ON)

Low leakage current: I

= 10 μA (max) (V

= 500 V)

DSS

Enhancement mode: V = 2.0 to 4.0 V (V

= 10 V, I = 1 mA)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Drain-source voltage

Symbol

Rating

Unit

500

±30

DSS

Gate-source voltage

GSS

(Note 1)

Drain current

Pulse (t = 1 ms)

(Note 1)

1: Gate

2: Drain

3: Source

Drain power dissipation (Tc = 25°C)

Single pulse avalanche energy

264

(Note 2)

JEDEC

JEITA

⎯

Avalanche current

4.5

SC-67

Repetitive avalanche energy (Note 3)

Channel temperature

°C

150

TOSHIBA

2-10U1B

Storage temperature range

−55 to 150

stg

Weight: 1.7 g (typ.)

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings. Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability

Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods’’) and individual reliability data (i.e.

reliability test report and estimated failure rate, etc).

Internal Connection

Thermal Characteristics

Characteristics

Symbol

Max

Unit

Thermal resistance, channel to case

Thermal resistance, channel to ambient

2.78

62.5

°C/W

th (ch-c)

th (ch-a)

Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C.

Note 2: = 90 V, T = 25°C (initial), L = 4.49 mH, R = 25 Ω, I = 10 A

Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature

This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.

2010-06-03

12 3 4 5 6

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