TIP36C

更新时间： 2024-11-04 08:48:39

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伯恩斯 - BOURNS		晶体晶体管功率双极晶体管开关 PC 局域网
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描述
PNP SILICON POWER TRANSISTORS

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TIP36C 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.11
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	25 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	125 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

TIP36C 数据手册

TIP36, TIP36A, TIP36B, TIP36C

PNP SILICON POWER TRANSISTORS

JULY 1968 - REVISED MARCH 1997

●

Designed for Complementary Use with the

TIP35 Series

SOT-93 PACKAGE

(TOP VIEW)

●

125 W at 25°C Case Temperature

25 A Continuous Collector Current

40 A Peak Collector Current

Customer-Specified Selections Available

Pin 2 is in electrical contact with the mounting base.

MDTRAA

absolute maximum ratings at 25°C case temperature (unless otherwise noted)

RATING

SYMBOL

VALUE

UNIT

TIP36

-80

-100

-120

-140

-40

TIP36A

TIP36B

TIP36C

TIP36

Collector-base voltage (I_E= 0)

Collector-emitter voltage (I_B= 0)

V_CBO

TIP36A

TIP36B

TIP36C

-60

V_CEO

-80

-100

-5

Emitter-base voltage

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Continuous collector current

Peak collector current (see Note 1)

Continuous base current

-25

-40

-5

Continuous device dissipation at (or below) 25°C case temperature (see Note 2)

Continuous device dissipation at (or below) 25°C free air temperature (see Note 3)

Unclamped inductive load energy (see Note 4)

P_tot

125

°C

3.5

½LI_C

Operating junction temperature range

T_j

T_stg

T_L

-65 to +150

250

Storage temperature range

Lead temperature 3.2 mm from case for 10 seconds

NOTES: 1. This value applies for t_p£ 0.3 ms, duty cycle £ 10%.

2. Derate linearly to 150°C case temperature at the rate of 1 W/°C.

3. Derate linearly to 150°C free air temperature at the rate of 28 mW/°C.

4. This rating is based on the capability of the transistor to operate safely in a circuit of: L = 20 mH, I_B(on)= -0.4 A, R_BE= 100 W,

V_BE(off)= 0, R_S= 0.1 W, V_CC= -20 V.

P R O D U C T

I N F O R M A T I O N

Information is current as of publication date. Products conform to specifications in accordance

with the terms of Power Innovations standard warranty. Production processing does not

necessarily include testing of all parameters.

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TIP36C TO-247	CENTRAL	获取价格	100V,25A,125W Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP General Purpose Amplifier/Sw
TIP36C_01	KEC	获取价格	TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR
TIP36C_03	STMICROELECTRONICS	获取价格	COMPLEMENTARY SILICON HIGH POWER TRANSISTORS
TIP36C_15	UTC	获取价格	HIGH POWER TRANSISTORS
TIP36CA	KEC	获取价格	TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR
TIP36CF	CDIL	获取价格	POWER TRANSISTORS
TIP36CFPNP	CDIL	获取价格	POWER TRANSISTORS
TIP36CG	ONSEMI	获取价格	Complementary Silicon High?Power Transistors
TIP36CG-R-T3P-T	UTC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 25A I(C), PNP
TIP36CL-R-T3P-T	UTC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 25A I(C), PNP

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