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TIP120-BP

更新时间： 2024-11-03 05:55:23
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管功率双极晶体管达林顿晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
2页 478K
描述
NPN Epitaxial Darlington Transistors

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TIP120-BP 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：1.44Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：5 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：1000
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TIP120-BP 数据手册

 浏览型号TIP120-BP的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
TIP120  
Micro Commercial Components  
Features  
·
·
·
Low collector-emitter saturation voltage  
NPN Epitaxial  
Darlington Transistors  
Amplifier applications-emitter shunt resistors  
TO-220 compact package  
•
Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
•
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1  
TO-220  
O
Maximum Ratings  
@ Ta=25 C Unless Otherwise Specified  
C
B
Symbol  
Rating  
Rating  
Unit  
V
VCEO  
VCBO  
VEBO  
ICP  
IC  
PC  
Collector-Emitter Voltage  
Colector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Peak Collector Current  
Collector Current  
Collector power dissipation(Tc=25O  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Thermal Resistence, Junction to case  
Thermal Resistence, Junction to ambient  
60  
60  
5.0  
8.0  
5.0  
S
F
V
V
A
A
Q
T
A
)
65  
W
OC  
OC  
C
U
TJ  
TSTG  
-55 to +150  
-55 to +150  
1
2
3
th  
OC/W  
H
R JC  
1.92  
62.5  
OC/W  
R JA  
th  
K
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
V
V(BR)CEO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
60  
---  
---  
---  
---  
0.2  
2.0  
0.5  
Vdc  
L
J
D
(I C=100mAdc, IB=0)  
R
G
ICBO  
Collector-Base Cutoff Current  
mAdc  
mAdc  
mAdc  
PIN 1.  
PIN 2.  
PIN 3.  
BASE  
COLLECTOR  
EMITTER  
N
(V CB=60Vdc,I =0)  
E
IEBO  
Emitter-Base Cutoff Current  
DIMENSIONS  
(V EB=5.0Vdc, I =0)  
C
INCHES  
MM  
ICEO  
Collector-Emitter Cutoff Current  
MIN  
14.22  
9.65  
MAX  
15.88  
10.67  
NOTE  
DIM  
MIN  
MAX  
.625  
A
B
C
.560  
.380  
.140  
(V CE=30Vdc, I =0)  
B
.420  
.190  
ON CHARACTERISTICS  
3.56  
4.82  
hFE-1  
Forward Current Transfer Ratio  
1000  
1000  
---  
---  
---  
D
F
.020  
.139  
.190  
---  
.045  
.161  
.110  
.250  
.025  
0.51  
3.53  
2.29  
---  
1.14  
4.09  
2.79  
6.35  
0.64  
(I C=0.5Adc, VCE=3.0Vdc)  
G
H
J
hFE-2  
Forward Current Transfer Ratio  
(I C=3.0Adc, VCE=3.0Vdc)  
.012  
0.30  
K
L
.500  
.045  
.580  
.060  
12.70  
1.14  
14.73  
1.52  
VCE(sat)-1  
VCE(sat)-2  
VBE(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(I C=3.0Adc, I =12mAdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(I C=5.0Adc, I =20mAdc)  
Base-Emitter On Voltage  
(I C=3.0Adc,VCE=3.0Adc)  
2.0  
4.0  
2.5  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
B
N
.190  
.210  
4.83  
5.33  
---  
Q
R
S
T
U
V
.100  
.080  
.045  
.230  
-----  
.135  
.115  
.055  
.270  
.050  
-----  
2.54  
2.04  
1.14  
5.84  
-----  
3.43  
2.92  
1.39  
6.86  
1.27  
-----  
B
---  
.045  
1.15  
Notes:1.High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7.  
www.mccsemi.com  
Revision: 4  
2009/08/11  
1 of 2  
12

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TIP120-BP 替代型号

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TIP120BV ONSEMI

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 		5A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
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