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TIP121

更新时间： 2024-01-28 17:45:00

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	173K
描述
Silicon NPN Darlington Power Transistors

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TIP121 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, CASE 221A-09, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	0.72
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	65 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TIP121 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Darlington Power Transistors

TIP120/121/122

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·DARLINGTON

·High DC current gain

·Low collector saturation voltage

·Complement to type TIP125/126/127

APPLICATIONS

·Designed for general–purpose amplifier

and low–speed switching applications.

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Tc=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

TIP120

TIP121

TIP122

TIP120

TIP121

TIP122

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

100

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

100

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-base voltage

Collector current-DC

Collector current-Pulse

Base current-DC

Open collector

120

T_C=25℃

T_a=25℃

P_C

Collector power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-65~150

℃

T_stg

12 3 4

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