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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> TIP106-BP
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TIP106-BP

更新时间： 2024-09-16 13:14:39
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 259K
描述
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

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TIP106-BP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.71最大集电极电流 (IC)：8 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：200JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

TIP106-BP 数据手册

 浏览型号TIP106-BP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TIP106-BP的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TIP106-BP的Datasheet PDF文件第4页 
M C C  
TIP105  
TIP106  
TIP107  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
•
Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
•
•
•
•
·
High DC Current Gain : hFE=2500 (Typ) @ IC=4.0Adc  
PNP Plastic  
Medium-Power  
Silicon Transistors  
Low Collector-Emitter Saturation Voltage  
Monolithic Construction with Built-in Base-Emitter Shunt Resistors  
TO-220 Compact package  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
Maximum Ratings  
·
Symbol  
VCEO  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Rating  
Unit  
60  
80  
100  
TO-220  
TIP105  
TIP106  
TIP107  
TIP105  
TIP106  
TIP107  
V
VCBO  
Collector-Base Voltage  
60  
80  
100  
C
B
V
S
F
VEBO  
IC  
ICP  
IB  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current-continuous  
Collector Current-peak  
Base Current  
5.0  
8.0  
15  
1.0  
V
A
A
A
W
Q
T
A
Collector Dissipation @TC=25OC  
80  
0.64  
-55 to +150  
-55 to +150  
PD  
Derate above 25 OC  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
W/ OC  
OC  
OC  
U
1
2
3
TJ,  
TSTG  
H
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
K
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
VCEO(SUS)  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
(IC=30mAdc, IB=0)  
TIP105  
TIP106  
TIP107  
60  
80  
100  
---  
---  
---  
V
Vdc  
L
J
D
R
ICEO  
Collector Cut-off Current  
(VCE=30Vdc, IB=0)  
(VCE=40Vdc, IB=0)  
G
TIP105  
TIP106  
TIP107  
---  
---  
---  
50  
50  
50  
N
uAdc  
PIN 1.  
PIN 2.  
PIN 3.  
BASE  
COLLECTOR  
EMITTER  
(VCE=50Vdc, IB=0)  
ICBO  
Collector Cut-off Current  
(VCB=60Vdc, IE=0)  
TIP105  
TIP106  
TIP107  
---  
---  
---  
50  
50  
50  
uAdc  
mAdc  
----  
(VCB=80Vdc, IE=0)  
DIMENSIONS  
INCHES  
MM  
(VCB=100Vdc, IE=0)  
Emitter Cut-off Current  
(VBE=5.0Vdc, IC=0)  
MIN  
14.22  
9.65  
MAX  
15.88  
10.67  
NOTE  
DIM  
MIN  
MAX  
.625  
IEBO  
A
B
C
.560  
.380  
.140  
---  
8.0  
.420  
.190  
ON CHARACTERISTICS(1)  
3.56  
4.82  
D
F
.020  
.139  
.190  
---  
.045  
.161  
.110  
.250  
.025  
0.51  
3.53  
2.29  
---  
1.14  
4.09  
2.79  
6.35  
0.64  
hFE(1)  
DC Current Gain  
(IC=3.0Adc, VCE=4.0Vdc)  
(IC=8.0Adc, VCE=4.0Vdc)  
1000  
200  
20000  
---  
G
H
J
VCE(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=3.0Adc, IB=6.0mAdc)  
(IC=8.0Adc, IB=80mAdc)  
.012  
0.30  
---  
---  
2.0  
2.5  
K
L
.500  
.045  
.580  
.060  
12.70  
1.14  
14.73  
1.52  
Vdc  
Vdc  
---  
VBE(ON)  
hfe  
Base-Emitter On Voltage  
(IC=8.0Adc,VCE=4.0Adc)  
N
.190  
.210  
4.83  
5.33  
---  
4.0  
---  
2.8  
---  
Q
R
S
T
U
V
.100  
.080  
.045  
.230  
-----  
.135  
.115  
.055  
.270  
.050  
-----  
2.54  
2.04  
1.14  
5.84  
-----  
3.43  
2.92  
1.39  
6.86  
1.27  
-----  
Small-Signal Current Gain  
(IC=3.0Adc,VCE=4.0Vdc,f=1.0MHz)  
Output Capacitance  
Cob  
(VCB=10V, IE=0, f=0.1MHz)  
300  
pF  
.045  
1.15  
(1) Pulse Test: Pulse Width<300us, Duty Cycle<2%  
Notes:1.High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7.  
www.mccsemi.com  
1 of 4  
Revision: A  
2011/01/01  
1234

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与TIP106-BP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TIP106C MOTOROLA

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 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
TIP106D1 MOTOROLA

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 		8A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP106G ONSEMI

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 		Plastic Medium−Power Complementary Silicon Transistors
TIP106J69Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
TIP106L MOTOROLA

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 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
TIP106N MOTOROLA

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 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
TIP106PNP CDIL

获取价格

 		PLASTIC POWER TRANSISTORS
TIP106S MOTOROLA

获取价格

 		暂无描述
TIP106T MOTOROLA

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 		8A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP106TU FAIRCHILD

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 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti

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