TIP106G

更新时间： 2024-11-06 04:28:27

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
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7页	88K
描述
Plastic Medium−Power Complementary Silicon Transistors

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TIP106G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, CASE 221A-09, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	1.39
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	8 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	80 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TIP106G 数据手册

TIP100, TIP101, TIP102

(NPN); TIP105, TIP106,

TIP107 (PNP)

TIP101, TIP102, TIP106 and TIP107 are Preferred Devices

Plastic Medium−Power

Complementary Silicon

Transistors

http://onsemi.com

DARLINGTON 8 AMPERE

COMPLEMENTARY SILICON

POWER TRANSISTORS

Designed for general−purpose amplifier and low−speed switching

applications.

Features

60−80−100 VOLTS, 80 WATTS

• High DC Current Gain −

= 2500 (Typ) @ I

= 4.0 Adc

MARKING

DIAGRAM

• Collector−Emitter Sustaining Voltage − @ 30 mAdc

= 60 Vdc (Min) − TIP100, TIP105

= 80 Vdc (Min) − TIP101, TIP106

= 100 Vdc (Min) − TIP102, TIP107

CEO(sus)

• Low Collector−Emitter Saturation Voltage −

CE(sat)

= 2.0 Vdc (Max) @ I

= 3.0 Adc

TO−220AB

CASE 221A

STYLE 1

TIP10xG

AYWW

= 2.5 Vdc (Max) @ I = 8.0 Adc

• Monolithic Construction with Built−in Base−Emitter Shunt Resistors

• Pb−Free Packages are Available*

TIP10x = Device Code

= 0, 1, 2, 5, 6, or 7

= Assembly Location

= Year

= Work Week

= Pb−Free Package

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information in the package

dimensions section on page 2 of this data sheet.

Preferred devices are recommended choices for future use

and best overall value.

*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please

download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques

Reference Manual, SOLDERRM/D.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2005

Publication Order Number:

August, 2005 − Rev. 11

TIP100/D

12 3 4 5 6 7

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TIP106G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
TIP106	FAIRCHILD	完全替代	Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors
TIP32CG	ONSEMI	类似代替	Complementary Silicon Plastic Power Transistors
TIP41CG	ONSEMI	类似代替	Complementary Silicon Plastic Power Transistors

与TIP106G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TIP106J69Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
TIP106L	MOTOROLA	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
TIP106N	MOTOROLA	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
TIP106PNP	CDIL	获取价格	PLASTIC POWER TRANSISTORS
TIP106S	MOTOROLA	获取价格	暂无描述
TIP106T	MOTOROLA	获取价格	8A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP106TU	FAIRCHILD	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
TIP106U	MOTOROLA	获取价格	8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP106U2	MOTOROLA	获取价格	8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP106UA	MOTOROLA	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti

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