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TIM6472-8UL

更新时间： 2024-02-12 18:03:10

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		微波
页数	文件大小	规格书
4页	47K
描述
MICROWAVE POWER GaAs FET

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TIM6472-8UL 数据手册

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TIM6472-8UL

Power Dissipation vs. Case Temperature

50

40

30

20

10

0

0

40

80

120

160

200

Tc (℃)

IM3 vs. Output Power Characteristics

-20

-30

-40

-50

-60

VDS= 10V

IDS@ 2.2A

f= 6.8GHz

Df= 5MHz

24

26

28

30

32

34

Po(dBm), Single Carrier Level

4

1 2 34

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与TIM6472-8UL相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
TIM6472-8UL_09	TOSHIBA	HIGH POWER P1dB=39.5dBm at 6.4GHz to 7.2GHz	获取价格
TIM685M015P0X	CDE	Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 15V, 20% +Tol, 20% -Tol, 6.8uF, Throu	获取价格
TIM7179-12UL	TOSHIBA	HIGH POWER P1dB=41.5dBm at 7.1GHz to 7.9GHz	获取价格
TIM7179-16	TOSHIBA	TRANSISTOR RF POWER, FET, HERMETIC SEALED, 2-16G1B, 3 PIN, FET RF Power	获取价格
TIM7179-16EL	TOSHIBA	暂无描述	获取价格
TIM7179-16L	TOSHIBA	TRANSISTOR RF POWER, FET, HERMETIC SEALED, 2-16G1B, 3 PIN, FET RF Power	获取价格

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