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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | HERMETIC SEALED, 2-16G1B, 3 PIN | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 20 weeks | 风险等级： | 5.07 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 15 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10 A | 最大漏极电流 (ID)： | 10 A |
| FET 技术： | JUNCTION | 最高频带： | C BAND |
| JESD-30 代码： | R-CDFM-F2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 62.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| TIM6472-12UL_09 | TOSHIBA | HIGH POWER P1dB=41.5dBm at 6.4GHz to 7.2GHz |
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| TIM6472-16 | TOSHIBA | TRANSISTOR RF POWER, FET, HERMETIC SEALED, 2-16G1B, 3 PIN, FET RF Power |
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| TIM6472-16EL | TOSHIBA | TRANSISTOR C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, 7-AA05A, 2 PIN, FET |
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| TIM6472-16L | TOSHIBA | TRANSISTOR RF POWER, FET, HERMETIC SEALED, 2-16G1B, 3 PIN, FET RF Power |
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| TIM6472-16SL | TOSHIBA | TRANSISTOR C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, 2-16G1B, 2 PIN, FET |
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| TIM6472-16UL | TOSHIBA | HIGH POWER P1dB=42.5dBm at 6.4GHz to 7.2GHz |
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