是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | not_compliant |
HTS代码: | 8541.30.00.80 | 风险等级: | 5.08 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | ANODE |
配置: | SINGLE | 关态电压最小值的临界上升速率: | 100 V/us |
最大直流栅极触发电流: | 20 mA | 最大直流栅极触发电压: | 1.5 V |
最大维持电流: | 40 mA | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
最大漏电流: | 2 mA | 通态非重复峰值电流: | 80 A |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最大通态电流: | 8000 A | 最高工作温度: | 110 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
最大均方根通态电流: | 8 A | 断态重复峰值电压: | 400 V |
重复峰值反向电压: | 400 V | 子类别: | Silicon Controlled Rectifiers |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
触发设备类型: | SCR | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TIC116D-S | BOURNS |
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Silicon Controlled Rectifier, 5000mA I(T), 400V V(DRM) | |
TIC116E | COMSET |
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P-N-P-N SILICON REVERSE-BLOCKING TRIODE THYRISTORS | |
TIC116E | TI |
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暂无描述 | |
TIC116E | NJSEMI |
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Thyristor SCR 600V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | |
TIC116F | TI |
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8A, 50V, SCR | |
TIC116F | NJSEMI |
获取价格 |
Thyristor SCR 600V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | |
TIC116M | COMSET |
获取价格 |
P-N-P-N SILICON REVERSE-BLOCKING TRIODE THYRISTORS | |
TIC116M | POINN |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIERS | |
TIC116M | TI |
获取价格 |
8A, 600V, SCR | |
TIC116M | NJSEMI |
获取价格 |
Thyristor SCR 600V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |