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TIC116D

更新时间: 2024-11-24 20:31:51
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德州仪器 - TI /
页数 文件大小 规格书
6页 216K
描述
8A, 400V, SCR

TIC116D 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:not_compliant
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.08
Is Samacsys:N外壳连接:ANODE
配置:SINGLE关态电压最小值的临界上升速率:100 V/us
最大直流栅极触发电流:20 mA最大直流栅极触发电压:1.5 V
最大维持电流:40 mAJESD-30 代码:R-PSFM-T3
最大漏电流:2 mA通态非重复峰值电流:80 A
元件数量:1端子数量:3
最大通态电流:8000 A最高工作温度:110 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:8 A断态重复峰值电压:400 V
重复峰值反向电压:400 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

TIC116D 数据手册

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