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TIC116M

更新时间: 2024-01-19 10:16:27
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 局域网栅极
页数 文件大小 规格书
6页 216K
描述
8A, 600V, SCR

TIC116M 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliantHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.07Is Samacsys:N
外壳连接:ANODE配置:SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率:100 V/us最大直流栅极触发电流:20 mA
最大直流栅极触发电压:1.5 V最大维持电流:40 mA
JESD-30 代码:R-PSFM-T3最大漏电流:2 mA
通态非重复峰值电流:80 A元件数量:1
端子数量:3最大通态电流:8000 A
最高工作温度:110 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:8 A
断态重复峰值电压:600 V重复峰值反向电压:600 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

TIC116M 数据手册

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TIC116M 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 5100mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element
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S6008R LITTELFUSE

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具有集成式 1:1 (SPST)、10 通道 ADC 和 SPI 的 24 输入传感器监控
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具有 SPI 和集成 ADC 的汽车类 35V 多开关检测接口 (MSDI) | DCP
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