生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIMM |
包装说明: | DIMM, DIMM184,40 | 针数: | 184 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.36 | 风险等级: | 5.84 |
访问模式: | BLOCK ORIENTED PROTOCOL | 最长访问时间: | 45 ns |
其他特性: | SELF CONTAINED REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK): | 711 MHz |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-XDMA-N184 |
长度: | 133.35 mm | 内存密度: | 4831838208 bit |
内存集成电路类型: | RAMBUS DRAM MODULE | 内存宽度: | 18 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 184 | 字数: | 268435456 words |
字数代码: | 256000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
组织: | 256MX18 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | DIMM |
封装等效代码: | DIMM184,40 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 电源: | 1.8/2.5,2.5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 34.93 mm |
自我刷新: | YES | 子类别: | DRAMs |
最大供电电压 (Vsup): | 2.63 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.37 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 8 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
THMR2E16-8 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 256M X 18 DIRECT RAMBUS DRAM MODULE, DMA184, DIMM-184, Dynamic RAM | |
THMR2E2Z-6 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 32M X 18 DIRECT RAMBUS DRAM MODULE, DMA184, DIMM-184, Dynamic RAM | |
THMR2E2Z-7 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 32M X 18 DIRECT RAMBUS DRAM MODULE, DMA184, DIMM-184, Dynamic RAM | |
THMR2E2Z-8 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 32M X 18 DIRECT RAMBUS DRAM MODULE, DMA184, DIMM-184, Dynamic RAM | |
THMR2E4Z-7 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 64M X 18 DIRECT RAMBUS DRAM MODULE, DMA184, DIMM-184, Dynamic RAM | |
THMR2E4Z-8 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 64M X 18 DIRECT RAMBUS DRAM MODULE, DMA184, DIMM-184, Dynamic RAM | |
THMR2E8Z-6 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 128M X 18 DIRECT RAMBUS DRAM MODULE, DMA184, DIMM-184, Dynamic RAM | |
THMR2E8Z-7 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 128M X 18 DIRECT RAMBUS DRAM MODULE, DMA184, DIMM-184, Dynamic RAM | |
THMR2E8Z-8 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 128M X 18 DIRECT RAMBUS DRAM MODULE, DMA184, DIMM-184, Dynamic RAM | |
THMR2N16-6 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 256M X 16 DIRECT RAMBUS DRAM MODULE, DMA184, DIMM-184, Dynamic RAM |