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THMR1N4E-8

更新时间: 2024-11-11 19:50:39
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 时钟动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 704K
描述
IC 32M X 16 DIRECT RAMBUS DRAM MODULE, DMA184, DIMM-184, Dynamic RAM

THMR1N4E-8 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIMM
包装说明:DIMM, DIMM184,40针数:184
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.28风险等级:5.84
访问模式:BLOCK ORIENTED PROTOCOL最长访问时间:45 ns
其他特性:SELF CONTAINED REFRESH; WD-MAX最大时钟频率 (fCLK):800 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDMA-N184
长度:133.35 mm内存密度:536870912 bit
内存集成电路类型:RAMBUS DRAM MODULE内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:184字数:33554432 words
字数代码:32000000工作模式:SYNCHRONOUS
组织:32MX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM184,40封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY电源:1.8/2.5,2.5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:31.75 mm
自我刷新:YES子类别:DRAMs
最大供电电压 (Vsup):2.63 V最小供电电压 (Vsup):2.37 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:NO
技术:CMOS端子形式:NO LEAD
端子节距:1 mm端子位置:DUAL
宽度:4.8 mmBase Number Matches:1

THMR1N4E-8 数据手册

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