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THMR1N4E-8

更新时间： 2024-11-21 19:50:39

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	704K
描述
IC 32M X 16 DIRECT RAMBUS DRAM MODULE, DMA184, DIMM-184, Dynamic RAM

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THMR1N4E-8 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM, DIMM184,40	针数：	184
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.28	风险等级：	5.84
访问模式：	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	最长访问时间：	45 ns
其他特性：	SELF CONTAINED REFRESH; WD-MAX	最大时钟频率 (fCLK)：	800 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDMA-N184
长度：	133.35 mm	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	RAMBUS DRAM MODULE	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	184	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
组织：	32MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM184,40	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	电源：	1.8/2.5,2.5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	31.75 mm
自我刷新：	YES	子类别：	DRAMs
最大供电电压 (Vsup)：	2.63 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.37 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	4.8 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
THMR1N8E-6	TOSHIBA	获取价格	IC 64M X 16 DIRECT RAMBUS DRAM MODULE, DMA184, DIMM-184, Dynamic RAM
THMR2E16-6	TOSHIBA	获取价格	IC 256M X 18 DIRECT RAMBUS DRAM MODULE, DMA184, DIMM-184, Dynamic RAM
THMR2E16-7	TOSHIBA	获取价格	IC 256M X 18 DIRECT RAMBUS DRAM MODULE, DMA184, DIMM-184, Dynamic RAM
THMR2E16-8	TOSHIBA	获取价格	IC 256M X 18 DIRECT RAMBUS DRAM MODULE, DMA184, DIMM-184, Dynamic RAM
THMR2E2Z-6	TOSHIBA	获取价格	IC 32M X 18 DIRECT RAMBUS DRAM MODULE, DMA184, DIMM-184, Dynamic RAM
THMR2E2Z-7	TOSHIBA	获取价格	IC 32M X 18 DIRECT RAMBUS DRAM MODULE, DMA184, DIMM-184, Dynamic RAM
THMR2E2Z-8	TOSHIBA	获取价格	IC 32M X 18 DIRECT RAMBUS DRAM MODULE, DMA184, DIMM-184, Dynamic RAM
THMR2E4Z-7	TOSHIBA	获取价格	IC 64M X 18 DIRECT RAMBUS DRAM MODULE, DMA184, DIMM-184, Dynamic RAM
THMR2E4Z-8	TOSHIBA	获取价格	IC 64M X 18 DIRECT RAMBUS DRAM MODULE, DMA184, DIMM-184, Dynamic RAM
THMR2E8Z-6	TOSHIBA	获取价格	IC 128M X 18 DIRECT RAMBUS DRAM MODULE, DMA184, DIMM-184, Dynamic RAM