生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIMM |
包装说明: | DIMM, DIMM184,40 | 针数: | 184 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.36 | 风险等级: | 5.84 |
访问模式: | BLOCK ORIENTED PROTOCOL | 其他特性: | SELF CONTAINED REFRESH; WD-MAX |
最大时钟频率 (fCLK): | 711 MHz | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-XDMA-N184 | 长度: | 133.35 mm |
内存密度: | 2147483648 bit | 内存集成电路类型: | RAMBUS DRAM MODULE |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 184 |
字数: | 134217728 words | 字数代码: | 128000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 组织: | 128MX16 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | DIMM | 封装等效代码: | DIMM184,40 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
电源: | 1.8/2.5,2.5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 31.75 mm | 自我刷新: | YES |
子类别: | DRAMs | 最大供电电压 (Vsup): | 2.63 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.37 V | 标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 1 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 8 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
THMR1N16E-8 | TOSHIBA |
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IC 128M X 16 DIRECT RAMBUS DRAM MODULE, DMA184, DIMM-184, Dynamic RAM | |
THMR1N4E-7 | TOSHIBA |
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IC 32M X 16 DIRECT RAMBUS DRAM MODULE, DMA184, DIMM-184, Dynamic RAM | |
THMR1N4E-8 | TOSHIBA |
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IC 32M X 16 DIRECT RAMBUS DRAM MODULE, DMA184, DIMM-184, Dynamic RAM | |
THMR1N8E-6 | TOSHIBA |
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IC 64M X 16 DIRECT RAMBUS DRAM MODULE, DMA184, DIMM-184, Dynamic RAM | |
THMR2E16-6 | TOSHIBA |
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IC 256M X 18 DIRECT RAMBUS DRAM MODULE, DMA184, DIMM-184, Dynamic RAM | |
THMR2E16-7 | TOSHIBA |
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IC 256M X 18 DIRECT RAMBUS DRAM MODULE, DMA184, DIMM-184, Dynamic RAM | |
THMR2E16-8 | TOSHIBA |
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IC 256M X 18 DIRECT RAMBUS DRAM MODULE, DMA184, DIMM-184, Dynamic RAM | |
THMR2E2Z-6 | TOSHIBA |
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IC 32M X 18 DIRECT RAMBUS DRAM MODULE, DMA184, DIMM-184, Dynamic RAM | |
THMR2E2Z-7 | TOSHIBA |
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IC 32M X 18 DIRECT RAMBUS DRAM MODULE, DMA184, DIMM-184, Dynamic RAM | |
THMR2E2Z-8 | TOSHIBA |
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IC 32M X 18 DIRECT RAMBUS DRAM MODULE, DMA184, DIMM-184, Dynamic RAM |