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THM81070AL-10

更新时间: 2024-11-11 19:52:07
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
18页 448K
描述
IC 1M X 8 FAST PAGE DRAM MODULE, 100 ns, SMA30, SIMM-30, Dynamic RAM

THM81070AL-10 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SIMM包装说明:,
针数:30Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.92访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:100 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码:R-XSMA-T30JESD-609代码:e0
内存密度:8388608 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:30
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1MX8
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

THM81070AL-10 数据手册

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