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THM81070AS-70

更新时间: 2024-11-11 19:52:07
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
18页 448K
描述
IC 1M X 8 FAST PAGE DRAM MODULE, 70 ns, SMA30, SIMM-30, Dynamic RAM

THM81070AS-70 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SIMM
针数:30Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:70 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码:R-XSMA-N30内存密度:8388608 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM MODULE内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:30字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX8封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态:Not Qualified最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

THM81070AS-70 数据手册

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