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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SIMM |
| 包装说明： | , | 针数： | 30 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.84 |
| 访问模式： | FAST PAGE | 最长访问时间： | 80 ns |
| 其他特性： | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | JESD-30 代码： | R-XSMA-N30 |
| 内存密度： | 2097152 bit | 内存集成电路类型： | FAST PAGE DRAM MODULE |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 30 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 256KX8 | |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | SINGLE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| THM82500ASG-70 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 256K X 8 FAST PAGE DRAM MODULE, 70 ns, SMA30, SIMM-30, Dynamic RAM |
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| THM82500ASG-80 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 256K X 8 FAST PAGE DRAM MODULE, 80 ns, SMA30, SIMM-30, Dynamic RAM |
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| THM84000AL-80 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 4M X 8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 80 ns, Dynamic RAM |
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| THM84000AS-60 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 4M X 8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 60 ns, Dynamic RAM |
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| THM84000AS-70 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 4M X 8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 70 ns, Dynamic RAM |
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| THM84000AS-80 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 4M X 8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 80 ns, Dynamic RAM |
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| THM84000ASG-70 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 4M X 8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 70 ns, Dynamic RAM |
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| THM84000ASG-80 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 4M X 8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 80 ns, Dynamic RAM |
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| THM84000CS-50 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 4M X 8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 50 ns, Dynamic RAM |
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| THM84000CSG-50 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 4M X 8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 50 ns, Dynamic RAM |
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