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THM84000S-10

更新时间: 2024-11-10 22:06:11
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 存储内存集成电路动态存储器
页数 文件大小 规格书
16页 448K
描述
4,194,304 WORDSx8 BIT DYNAMIC RAM MODULE

THM84000S-10 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SIMM
包装说明:,针数:30
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
Is Samacsys:N访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:100 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码:R-XSMA-N30内存密度:33554432 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM MODULE内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:30字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4MX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:MOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

THM84000S-10 数据手册

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